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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | Am29F016D-120E4CB |
| 廠商： | Advanced Micro Devices, Inc. |
| 英文描述： | 16 Megabit (2 M x 8-Bit) CMOS 5.0 Volt-only, Uniform Sector Flash Memory |
| 中文描述： | 16兆位（2米× 8位）的CMOS 5.0伏只，統(tǒng)一部門快閃記憶體 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 36/45頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 1145K |
| 代理商： | AM29F016D-120E4CB |
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Am29F016D
35
AC CHARACTERISTICS
Erase and Program Operations
Alternate CE# Controlled Writes
Notes:
1. Not 100% tested.
2.
See the “Erase And Programming Performance” section for more information.
Parameter Symbol
Parameter Description
Speed Options
Unit
JEDEC
Std
-70
-90
-120
-150
t
AVAV
t
WC
Write Cycle Time (Note 1)
Min
70
90
120
150
ns
t
AVEL
t
AS
Address Setup Time
Min
0
ns
t
ELAX
t
AH
Address Hold Time
Min
40
45
50
50
ns
t
DVEH
t
DS
Data Setup Time
Min
40
45
50
50
ns
t
EHDX
t
DH
Address Hold Time
Min
0
ns
t
GHEL
t
GHEL
Read Recover Time Before Write
Min
0
ns
t
WLEL
t
WS
CE# Setup Time
Min
0
ns
t
EHWH
t
WH
CE# Hold Time
Min
0
ns
t
ELEH
t
CP
Write Pulse Width
Min
40
45
50
50
ns
t
EHEL
t
CPH
Write Pulse Width High
Min
20
ns
t
WHWH1
t
WHWH1
Byte Programming Operation (Note 2)
Typ
7
μs
t
WHWH2
t
WHWH2
Sector Erase Operation (Note 2)
Typ
1
sec
Max
8
sec
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| Am29F016D-150E4CB | 16 Megabit (2 M x 8-Bit) CMOS 5.0 Volt-only, Uniform Sector Flash Memory |
| Am29F016D-70E4IB | 16 Megabit (2 M x 8-Bit) CMOS 5.0 Volt-only, Uniform Sector Flash Memory |
| Am29F016D-120E4IB | 16 Megabit (2 M x 8-Bit) CMOS 5.0 Volt-only, Uniform Sector Flash Memory |
| Am29F016D-150E4IB | 16 Megabit (2 M x 8-Bit) CMOS 5.0 Volt-only, Uniform Sector Flash Memory |
| Am29F016D-70F4CB | 16 Megabit (2 M x 8-Bit) CMOS 5.0 Volt-only, Uniform Sector Flash Memory |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| AM29F016D120FI | 制造商:Advanced Micro Devices 功能描述:Flash Mem Parallel 5V 16M-Bit 2M x 8 120ns 48-Pin RTSOP |
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