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參數(shù)資料
| 型號： | AM29F016-120FIB |
| 廠商： | ADVANCED MICRO DEVICES INC |
| 元件分類： | PROM |
| 英文描述： | 16-Megabit (2,097,152 x 8-Bit) CMOS 5.0 Volt-only, Sector Erase Flash Memory |
| 中文描述： | 2M X 8 FLASH 5V PROM, 120 ns, PDSO48 |
| 封裝： | REVERSE, TSOP-48 |
| 文件頁數(shù)： | 33/36頁 |
| 文件大?。?/td> | 219K |
| 代理商： | AM29F016-120FIB |
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Am29F016
33
18805D-24
Figure 18.
Alternate CE Controlled Program Operation Timing
D
OUT
PD
t
AH
Data Polling
t
DS
t
WS
t
CPH
t
DH
t
CP
t
GHEL
Addresses
WE
OE
CE
Data
5.0 Volt
Notes:
1. PA is address of the memory location to be programmed.
2. PD is data to be programmed at byte address.
3. DQ7 is the output of the complement of the data written to the device.
4. D
OUT
is the output of the data written to the device.
5. Figure indicates last two bus cycles of four bus cycle sequence.
t
WC
t
AS
DQ7
5555H
PA
A0H
t
WHWH1
PA
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