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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | AM29F002BT-90 |
| 廠商： | Advanced Micro Devices, Inc. |
| 英文描述： | 2 Megabit (256 K x 8-Bit) CMOS 5.0 Volt-only Boot Sector Flash Memory |
| 中文描述： | 2兆位（256畝× 8位）的CMOS 5.0伏，只引導(dǎo)扇區(qū)閃存 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 28/40頁(yè) |
| 文件大小： | 792K |
| 代理商： | AM29F002BT-90 |
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November 28, 2000
Am29F002B/Am29F002NB
27
AC CHARACTERISTICS
Erase/Program Operations
Notes:
1. Not 100% tested.
2. See the “Erase and Programming Performance” section for more information.
Parameter
Speed Options
JEDEC
Std
Description
-55
-70
-90
-120
Unit
t
AVAV
t
WC
Write Cycle Time (Note 1)
Min
55
70
90
120
ns
t
AVWL
t
AS
Address Setup Time
Min
0
ns
t
WLAX
t
AH
Address Hold Time
Min
45
45
45
50
ns
t
DVWH
t
DS
Data Setup Time
Min
25
30
45
50
ns
t
WHDX
t
DH
Data Hold Time
Min
0
ns
t
OES
Output Enable Setup Time
Min
0
ns
t
GHWL
t
GHWL
Read Recovery Time Before Write
(OE# High to WE# Low)
Min
0
ns
t
ELWL
t
CS
CE# Setup Time
Min
0
ns
t
WHEH
t
CH
CE# Hold Time
Min
0
ns
t
WLWH
t
WP
Write Pulse Width
Min
30
35
45
50
ns
t
WHWL
t
WPH
Write Pulse Width High
Min
20
ns
t
WHWH1
t
WHWH1
Programming Operation (Note 2)
Typ
7
μs
t
WHWH2
t
WHWH2
Sector Erase Operation (Note 2)
Typ
1
sec
t
VCS
V
CC
Setup Time (Note 1)
Min
50
μs
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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