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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | AM29DS323DT50EIN |
| 廠商： | Advanced Micro Devices, Inc. |
| 英文描述： | 32 Megabit (4 M x 8-Bit/2 M x 16-Bit) CMOS 1.8 Volt-only, Simultaneous Operation Flash Memory |
| 中文描述： | 32兆位（4個(gè)M × 8位/ 2米x 16位），1.8伏的CMOS只，同時(shí)作業(yè)快閃記憶體 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 50/56頁(yè) |
| 文件大小： | 641K |
| 代理商： | AM29DS323DT50EIN |
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48
Am29DS323D
23480A5 October10,2006
D A T A S H E E T
AC CHARACTERISTICS
Alternate CE# Controlled Erase and Program Operations
Notes:
1. Not 100% tested.
2. See the
“Erase And Programming Performance”
section for more information.
Parameter
110
120
JEDEC
Std
Description
Unit
t
AVAV
t
WC
Write Cycle Time
(Note 1)
Min
110
120
ns
t
AVWL
t
AS
Address Setup Time
Min
0
ns
t
ELAX
t
AH
Address Hold Time
Min
50
ns
t
DVEH
t
DS
Data Setup Time
Min
50
ns
t
EHDX
t
DH
Data Hold Time
Min
0
ns
t
GHEL
t
GHEL
Read Recovery Time Before Write
(OE# High to WE# Low)
Min
0
ns
t
WLEL
t
WS
WE# Setup Time
Min
0
ns
t
EHWH
t
WH
WE# Hold Time
Min
0
ns
t
ELEH
t
CP
CE# Pulse Width
Min
50
ns
t
EHEL
t
CPH
CE# Pulse Width High
Min
30
ns
t
WHWH1
t
WHWH1
Programming Operation
(Note 2)
Byte
Typ
9
μs
Word
Typ
13
t
WHWH1
t
WHWH1
Accelerated Programming Operation,
Word or Byte
(Note 2)
Typ
7
μs
t
WHWH2
t
WHWH2
Sector Erase Operation
(Note 2)
Typ
2
sec
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