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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | AM29DL324GB30WMI |
| 廠商： | Spansion Inc. |
| 英文描述： | 32 Megabit (4 M x 8-Bit/2 M x 16-Bit) CMOS 3.0 Volt-only, Simultaneous Operation Flash Memory |
| 中文描述： | 32兆位（4個(gè)M × 8位/ 2米x 16位），3.0伏的CMOS只，同時(shí)作業(yè)快閃記憶體 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 47/58頁(yè) |
| 文件大小： | 875K |
| 代理商： | AM29DL324GB30WMI |
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December4,2006 25686B10
Am29DL32xG
45
D A T A S H E E T
AC CHARACTERISTICS
OE#
CE#
WE#
Addresses
t
OEH
t
DH
t
AHT
t
ASO
t
OEPH
t
OE
Valid Data
(first read)
(second read)
(stops toggling)
t
CEPH
t
AHT
t
AS
DQ6/DQ2
Valid Data
Valid
Status
Valid
Status
Valid
Status
RY/BY#
Note:
VA = Valid address; not required for DQ6. Illustration shows first two status cycle after command sequence, last status read
cycle, and array data read cycle
Figure 22.
Toggle Bit Timings (During Embedded Algorithms)
Note:
DQ2 toggles only when read at an address within an erase-suspended sector. The system may use OE# or CE# to toggle
DQ2 and DQ6.
Figure 23.
DQ2 vs. DQ6
Enter
Erase
Erase
Resume
Erase
Enter Erase
Suspend Program
Erase Suspend
Read
Erase Suspend
Read
Erase
Suspend
Program
WE#
DQ6
DQ2
Erase
Complete
Erase
Suspend
Embedded
Erasing
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AM29DL324GB30WMIN | 32 Megabit (4 M x 8-Bit/2 M x 16-Bit) CMOS 3.0 Volt-only, Simultaneous Operation Flash Memory |
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| AM29DL324GB40EFN | 32 Megabit (4 M x 8-Bit/2 M x 16-Bit) CMOS 3.0 Volt-only, Simultaneous Operation Flash Memory |
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| AM29DL324GB40EIN | 32 Megabit (4 M x 8-Bit/2 M x 16-Bit) CMOS 3.0 Volt-only, Simultaneous Operation Flash Memory |
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參數(shù)描述 |
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