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參數(shù)資料
| 型號： | AM29DL323CT120 |
| 廠商： | Advanced Micro Devices, Inc. |
| 英文描述： | 32 Megabit (4 M x 8-Bit/2 M x 16-Bit) CMOS 3.0 Volt-only, Simultaneous Operation Flash Memory |
| 中文描述： | 32兆位（4個M × 8位/ 2米x 16位），3.0伏的CMOS只，同時作業(yè)快閃記憶體 |
| 文件頁數(shù)： | 46/52頁 |
| 文件大?。?/td> | 363K |
| 代理商： | AM29DL323CT120 |
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Am29DL322C/Am29DL323C
46
A D V A N C E I N F O R M A T I O N
AC CHARACTERISTICS
Alternate CE# Controlled Erase and Program Operations
Notes:
1. Not 100% tested.
2.
See the “Erase And Programming Performance” section for more information.
Parameter
Speed Options
JEDEC
Std
Description
90
120
Unit
t
AVAV
t
WC
Write Cycle Time (Note 1)
Min
90
120
ns
t
AVWL
t
AS
Address Setup Time
Min
0
ns
t
ELAX
t
AH
Address Hold Time
Min
45
50
ns
t
DVEH
t
DS
Data Setup Time
Min
45
50
ns
t
EHDX
t
DH
Data Hold Time
Min
0
ns
t
GHEL
t
GHEL
Read Recovery Time Before Write
(OE# High to WE# Low)
Min
0
ns
t
WLEL
t
WS
WE# Setup Time
Min
0
ns
t
EHWH
t
WH
WE# Hold Time
Min
0
ns
t
ELEH
t
CP
CE# Pulse Width
Min
45
50
ns
t
EHEL
t
CPH
CE# Pulse Width High
Min
30
ns
t
WHWH1
t
WHWH1
Programming Operation
(Note 2)
Byte
Typ
9
μs
Word
Typ
11
t
WHWH1
t
WHWH1
Accelerated Programming Operation,
Word or Byte (Note 2)
Typ
7
μs
t
WHWH2
t
WHWH2
Sector Erase Operation (Note 2)
Typ
0.7
sec
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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