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參數(shù)資料
| 型號： | AM29BL162CB70RZE |
| 廠商： | SPANSION LLC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 16 Megabit (1 M x 16-Bit) CMOS 3.0 Volt-only Burst Mode Flash Memory |
| 中文描述： | 1M X 16 FLASH 3V PROM, 70 ns, PDSO56 |
| 封裝： | SSOP-56 |
| 文件頁數(shù)： | 38/50頁 |
| 文件大?。?/td> | 486K |
| 代理商： | AM29BL162CB70RZE |
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36
Am29BL162C
July 8, 2005
D A T A S H E E T
AC CHARACTERISTICS
Erase/Program Operations
Notes:
1. Not 100% tested.
2. See the “
Erase and Programming Performance”
section for more information.
Parameter
Speed Options
JEDEC
Std
Description
65R
70R
90R
120R
Unit
t
AVAV
t
WC
Write Cycle Time (
Note 1
)
Min
65
70
90
120
ns
t
AVWL
t
AS
Address Setup Time
Min
0
ns
t
WLAX
t
AH
Address Hold Time
Min
45
45
45
50
ns
t
DVWH
t
DS
Data Setup Time
Min
35
35
45
50
ns
t
WHDX
t
DH
Data Hold Time
Min
0
ns
t
OES
Output Enable Setup Time
Min
0
ns
t
GHWL
t
GHWL
Read Recovery Time Before Write
(OE# High to WE# Low)
Min
0
ns
t
ELWL
t
CS
CE# Setup Time
Min
0
ns
t
WHEH
t
CH
CE# Hold Time
Min
0
ns
t
WLWH
t
WP
Write Pulse Width
Min
35
35
35
50
ns
t
WHWL
t
WPH
Write Pulse Width High
Min
30
ns
t
WHWH1
t
WHWH1
Programming Operation (
Note 2
)
Typ
9
μs
t
WHWH2
t
WHWH2
Sector Erase Operation (
Note 2
)
Typ
1
sec
t
VCS
V
CC
Setup Time (
Note 1
)
Min
50
μs
t
RB
Recovery Time from RY/BY#
Min
0
ns
t
BUSY
Program/Erase Valid to RY/BY# Delay
Min
90
ns
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AM29BL162CB70RZF | 16 Megabit (1 M x 16-Bit) CMOS 3.0 Volt-only Burst Mode Flash Memory |
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相關代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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