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參數(shù)資料
| 型號： | AM29BL162CB65RZI |
| 廠商： | SPANSION LLC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 16 Megabit (1 M x 16-Bit) CMOS 3.0 Volt-only Burst Mode Flash Memory |
| 中文描述： | 1M X 16 FLASH 3V PROM, 65 ns, PDSO56 |
| 封裝： | SSOP-56 |
| 文件頁數(shù)： | 33/50頁 |
| 文件大?。?/td> | 486K |
| 代理商： | AM29BL162CB65RZI |
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July 8, 2005
Am29BL162C
31
D A T A S H E E T
TEST CONDITIONS
Table 10.
Test Specifications
Key to Switching Waveforms
2.7 k
Ω
C
L
6.2 k
Ω
3.3 V
Device
Under
Test
Figure 13.
Test Setup
Note:
Diodes are IN3064 or equivalent
Test Condition
65R,
70R
90R,
120R
Unit
Output Load
1 TTL gate
Output Load Capacitance, C
L
(including jig capacitance)
30
100
pF
Input Rise and Fall Times
5
ns
Input Pulse Levels
0.0–3.0
V
Input timing measurement
reference levels
1.5
V
Output timing measurement
reference levels
1.5
V
WAVEFORM
INPUTS
OUTPUTS
Steady
Changing from H to L
Changing from L to H
Don’t Care, Any Change Permitted
Changing, State Unknown
Does Not Apply
Center Line is High Impedance State (High Z)
3.0 V
0.0 V
1.5 V
1.5 V
Output
Measurement Level
Input
Figure 14.
Input Waveforms and Measurement Levels
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AM29BL162CB65RZK | 16 Megabit (1 M x 16-Bit) CMOS 3.0 Volt-only Burst Mode Flash Memory |
| AM29BL162CB-70R | 16 Megabit (1 M x 16-Bit) CMOS 3.0 Volt-only Burst Mode Flash Memory |
| AM29BL162CB70RZE | 16 Megabit (1 M x 16-Bit) CMOS 3.0 Volt-only Burst Mode Flash Memory |
| AM29BL162CB70RZF | 16 Megabit (1 M x 16-Bit) CMOS 3.0 Volt-only Burst Mode Flash Memory |
| AM29BL162CB70RZI | 16 Megabit (1 M x 16-Bit) CMOS 3.0 Volt-only Burst Mode Flash Memory |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| AM29BL802CB-65RZET | 制造商:Spansion 功能描述: |
| AM29C01WW WAF | 制造商:Advanced Micro Devices 功能描述: |
| AM29C10API | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
| AM29C10AWW DIE | 制造商:Advanced Micro Devices 功能描述: |
| AM29C116-1JC | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
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