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參數(shù)資料
| 型號： | Am29BDD160GT65A |
| 廠商： | Advanced Micro Devices, Inc. |
| 英文描述： | 16 Megabit (1 M x 16-bit/512 K x 32-Bit), CMOS 2.5 Volt-only Burst Mode, Dual Boot, Simultaneous Read/Write Flash Memory |
| 中文描述： | 16兆位（1 M中的x 16-bit/512畝× 32位），2.5伏的CMOS只突發(fā)模式，雙啟動，同步讀/寫閃存 |
| 文件頁數(shù)： | 73/80頁 |
| 文件大?。?/td> | 3476K |
| 代理商： | AM29BDD160GT65A |
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Am29BDD160G
71
AC CHARACTERISTICS
Alternate CE# Controlled Erase/Program Operations
Note:
1. Not 100% tested.
2. See the section for more information.
Parameter
Description
All Speed Options
Unit
JEDEC
Std.
t
AVAV
t
WC
Write Cycle Time (Note 1)
Min
65
ns
t
AVEL
t
AS
Address Setup Time
Min
0
ns
t
ELAX
t
AH
Address Hold Time
Min
45
ns
t
DVEH
t
DS
Data Setup Time
Min
35
ns
t
EHDX
t
DH
Data Hold Time
Min
2
ns
t
OES
Output Enable Setup Time
Min
0
ns
t
GHEL
t
GHEL
Read Recovery Time Before Write (OE#
High to WE# Low)
Min
0
ns
t
WLEL
t
WS
WE# Setup Time
Min
0
ns
t
EHWH
t
WH
WE# Hold Time
Min
0
ns
t
WADVS
WE# Rising Edge Setup to ADV# Falling
Edge
Min
5
ns
t
WP
WE# Width
Min
15
ns
t
WADVH
WE# Falling Edge After ADV# Falling Edge
Min
0
ns
t
WCKS
WE# Rising Edge Setup to CLK Rising Edge
Min
5
ns
t
ELEH
t
CP
CE# Pulse Width
Min
35
ns
t
EHEL
t
CPH
CE# Pulse Width High
Min
30
ns
t
WHWsH1
t
WHWH1
Programming Operation (Note 2)
Typ
9
μs
t
WHWH2
t
WHWH2
Sector Erase Operation (Note 2)
Typ
0.5
sec.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| Am29BDD160GB64C | 16 Megabit (1 M x 16-bit/512 K x 32-Bit), CMOS 2.5 Volt-only Burst Mode, Dual Boot, Simultaneous Read/Write Flash Memory |
| Am29BDD160GB65A | 16 Megabit (1 M x 16-bit/512 K x 32-Bit), CMOS 2.5 Volt-only Burst Mode, Dual Boot, Simultaneous Read/Write Flash Memory |
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參數(shù)描述 |
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