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參數(shù)資料
| 型號： | Am29BDD160GB64C |
| 廠商： | Advanced Micro Devices, Inc. |
| 英文描述： | 16 Megabit (1 M x 16-bit/512 K x 32-Bit), CMOS 2.5 Volt-only Burst Mode, Dual Boot, Simultaneous Read/Write Flash Memory |
| 中文描述： | 16兆位（1 M中的x 16-bit/512畝× 32位），2.5伏的CMOS只突發(fā)模式，雙啟動，同步讀/寫閃存 |
| 文件頁數(shù)： | 60/80頁 |
| 文件大?。?/td> | 3476K |
| 代理商： | AM29BDD160GB64C |
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58
Am29BDD160G
TEST CONDITIONS
Note:
Diodes are IN3064 or equivalent
Figure 12. Test Setup
KEY TO SWITCHING WAVEFORMS
KS000010-PAL
SWITCHING WAVEFORMS
V
IO
Figure 13. Input Waveforms and Measurement Levels
Table 25. Test Specifications
Test Condition
54D, 64C
65A
Unit
Output Load
1 TTL gate
Output Load Capacitance,
C
L
(including jig
capacitance)
30
100
pF
Input Rise and Fall Times
5
ns
Input Pulse Levels
0.0 V – V
IO
V
Input timing measurement
reference levels
V
IO
/2
V
Output timing measurement
reference levels
V
IO
/2
V
WAVEFORM
INPUTS
OUTPUTS
Steady
Changing from H to L
Changing from L to H
Don’t Care, Any Change Permitted
Changing, State Unknown
Does Not Apply
Center Line is High Impedance State (High Z)
V
SS
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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