參數(shù)資料
型號(hào)： ALD112
文件頁數(shù)： 12/14頁
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代理商： ALD112
12
ALD1000
FIGURE 6. Simplified Schematic Showing the Use of External Drive Transistors. R
1
and R
2
Provide Degeneration that Affects
the Current Limit and Loop Stability. R
4
Controls the Transconductance Amplifier Gain Affecting Loop Stability
and Transient Response. See the Text.
100
To
Positive
Current
Limit
To
Negative
Current
Limit
Signal
ALD1000
OUTPUT STAGE
Q
P
Q
N
R
4
R
1
R
3
R
2
–V
S
+V
S
25
X
N
23
E
26
C
24
X
P
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PDF描述
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參數(shù)描述
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ALD1121E_12 制造商:ALD 制造商全稱:Advanced Linear Devices 功能描述:QUAD/DUAL EPAD?? PRECISION N-CHANNEL MATCHED PAIR MOSFET ARRAY
ALD1121EDA 制造商:ALD 制造商全稱:Advanced Linear Devices 功能描述:QUAD/DUAL EPAD PRECISION MATCHED PAIR N-CHANNEL MOSFET ARRAY
ALD1121EPA 功能描述:MOSFET Dual EPAD(R) N-Ch RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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