| 型號(hào)： |
ALD111933SAL |
| 廠(chǎng)商： |
Advanced Linear Devices Inc |
| 文件頁(yè)數(shù)： |
1/2頁(yè) |
| 文件大?。?/td>
| 0K |
| 描述： |
MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC |
| 產(chǎn)品目錄繪圖： |
8-Pin SOIC Package
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| 標(biāo)準(zhǔn)包裝： |
50 |
| 系列： |
EPAD® |
| FET 型： |
2 個(gè) N 溝道（雙）
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| FET 特點(diǎn)： |
標(biāo)準(zhǔn)
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| 漏極至源極電壓(Vdss)： |
10.6V
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| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C： |
6.9mA
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| 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： |
500 歐姆 @ 5.9V
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| Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）： |
3.35V @ 1µA
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| 功率 - 最大： |
500mW
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| 安裝類(lèi)型： |
表面貼裝
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| 封裝/外殼： |
8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
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| 供應(yīng)商設(shè)備封裝： |
8-SOIC
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| 包裝： |
管件
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| 其它名稱(chēng)： |
1014-1052
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