參數(shù)資料
型號(hào)： AGR26045EF
廠商： TRIQUINT SEMICONDUCTOR INC
元件分類： 功率晶體管
英文描述： S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
文件頁(yè)數(shù)： 6/9頁(yè)
文件大?。?/td> 373K
代理商： AGR26045EF
45 W, 2.535 GHz—2.655 GHz, N-Channel E-Mode, Lateral MOSFET
AGR26045EF
Typical Performance Characteristics (continued)
Test conditions:
Two-tone measurement @ 10 MHz tone spacing, VDD = 28 VDC, f1 = 2590 MHz, f2 = 2600 MHz.
Figure 6. Two-tone IMD vs. Power
Test conditions:
VDD = 28 V, IDQ = 430 mA, POUT = 45 W (PEP), f = 2595 MHz.
Figure 7. Two-tone IM3 vs. Tone Spacing
-65
-60
-55
-50
-45
-40
-35
-30
-25
-20
1
10
100
POUT (W, PEP))
dB
cX
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
IM3
IM5
IM7
-60
-50
-40
-30
-20
-10
0
0.1
1
10
100
TONE SPACING (MHz)Z
IM
D
(d
Bc
)Z
IM3
IM5
IM7
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PDF描述
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