2-52 Revision 17 Timing Characteristics 1.5 V DC Core Voltage Figure 2-18 Input " />
參數(shù)資料
型號： AGLN250V2-ZVQG100I
廠商： Microsemi SoC
文件頁數(shù)： 116/150頁
文件大小： 0K
描述： IC FPGA NANO 1KB 250K 100VQFP
標準包裝： 90
系列： IGLOO nano
邏輯元件/單元數(shù)： 6144
RAM 位總計： 36864
輸入/輸出數(shù)： 68
門數(shù)： 250000
電源電壓： 1.14 V ~ 1.575 V
安裝類型： 表面貼裝
工作溫度： -40°C ~ 85°C
封裝/外殼： 100-TQFP
供應商設備封裝： 100-VQFP（14x14）
IGLOO nano DC and Switching Characteristics
2-52
Revision 17
Timing Characteristics
1.5 V DC Core Voltage
Figure 2-18 Input DDR Timing Diagram
tDDRICLR2Q2
tDDRIREMCLR
tDDRIRECCLR
tDDRICLR2Q1
12
3
4
5
6
7
8
9
CLK
Data
CLR
Out_QR
Out_QF
tDDRICLKQ1
2
4
6
3
5
7
tDDRIHD
tDDRISUD
tDDRICLKQ2
Table 2-79 Input DDR Propagation Delays
Commercial-Case Conditions: TJ = 70°C, Worst-Case VCC = 1.25 V
Parameter
Description
Std.
Units
tDDRICLKQ1
Clock-to-Out Out_QR for Input DDR
0.48
ns
tDDRICLKQ2
Clock-to-Out Out_QF for Input DDR
0.65
ns
tDDRISUD1
Data Setup for Input DDR (negedge)
0.50
ns
tDDRISUD2
Data Setup for Input DDR (posedge)
0.40
ns
tDDRIHD1
Data Hold for Input DDR (negedge)
0.00
ns
tDDRIHD2
Data Hold for Input DDR (posedge)
0.00
ns
tDDRICLR2Q1
Asynchronous Clear-to-Out Out_QR for Input DDR
0.82
ns
tDDRICLR2Q2
Asynchronous Clear-to-Out Out_QF for Input DDR
0.98
ns
tDDRIREMCLR
Asynchronous Clear Removal Time for Input DDR
0.00
ns
tDDRIRECCLR
Asynchronous Clear Recovery Time for Input DDR
0.23
ns
tDDRIWCLR
Asynchronous Clear Minimum Pulse Width for Input DDR
0.19
ns
tDDRICKMPWH
Clock Minimum Pulse Width HIGH for Input DDR
0.31
ns
tDDRICKMPWL
Clock Minimum Pulse Width LOW for Input DDR
0.28
ns
FDDRIMAX
Maximum Frequency for Input DDR
250.00
MHz
Note: For specific junction temperature and voltage supply levels, refer to Table 2-7 on page 2-7 for derating values.
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