2-68 Revision 23 1.5 V LVCMOS (JESD8-11) Low-Voltage CMOS for 1.5 V is an extension of the LVCMOS st" />
參數(shù)資料
型號(hào)： AGL250V2-VQ100I
廠商： Microsemi SoC
文件頁(yè)數(shù)： 234/250頁(yè)
文件大小： 0K
描述： IC FPGA 1KB FLASH 250K 100VQFP
標(biāo)準(zhǔn)包裝： 90
系列： IGLOO
邏輯元件/單元數(shù)： 6144
RAM 位總計(jì)： 36864
輸入/輸出數(shù)： 68
門數(shù)： 250000
電源電壓： 1.14 V ~ 1.575 V
安裝類型： 表面貼裝
工作溫度： -40°C ~ 85°C
封裝/外殼： 100-TQFP
供應(yīng)商設(shè)備封裝： 100-VQFP（14x14）
第1頁(yè)第2頁(yè)第3頁(yè)第4頁(yè)第5頁(yè)第6頁(yè)第7頁(yè)第8頁(yè)第9頁(yè)第10頁(yè)第11頁(yè)第12頁(yè)第13頁(yè)第14頁(yè)第15頁(yè)第16頁(yè)第17頁(yè)第18頁(yè)第19頁(yè)第20頁(yè)第21頁(yè)第22頁(yè)第23頁(yè)第24頁(yè)第25頁(yè)第26頁(yè)第27頁(yè)第28頁(yè)第29頁(yè)第30頁(yè)第31頁(yè)第32頁(yè)第33頁(yè)第34頁(yè)第35頁(yè)第36頁(yè)第37頁(yè)第38頁(yè)第39頁(yè)第40頁(yè)第41頁(yè)第42頁(yè)第43頁(yè)第44頁(yè)第45頁(yè)第46頁(yè)第47頁(yè)第48頁(yè)第49頁(yè)第50頁(yè)第51頁(yè)第52頁(yè)第53頁(yè)第54頁(yè)第55頁(yè)第56頁(yè)第57頁(yè)第58頁(yè)第59頁(yè)第60頁(yè)第61頁(yè)第62頁(yè)第63頁(yè)第64頁(yè)第65頁(yè)第66頁(yè)第67頁(yè)第68頁(yè)第69頁(yè)第70頁(yè)第71頁(yè)第72頁(yè)第73頁(yè)第74頁(yè)第75頁(yè)第76頁(yè)第77頁(yè)第78頁(yè)第79頁(yè)第80頁(yè)第81頁(yè)第82頁(yè)第83頁(yè)第84頁(yè)第85頁(yè)第86頁(yè)第87頁(yè)第88頁(yè)第89頁(yè)第90頁(yè)第91頁(yè)第92頁(yè)第93頁(yè)第94頁(yè)第95頁(yè)第96頁(yè)第97頁(yè)第98頁(yè)第99頁(yè)第100頁(yè)第101頁(yè)第102頁(yè)第103頁(yè)第104頁(yè)第105頁(yè)第106頁(yè)第107頁(yè)第108頁(yè)第109頁(yè)第110頁(yè)第111頁(yè)第112頁(yè)第113頁(yè)第114頁(yè)第115頁(yè)第116頁(yè)第117頁(yè)第118頁(yè)第119頁(yè)第120頁(yè)第121頁(yè)第122頁(yè)第123頁(yè)第124頁(yè)第125頁(yè)第126頁(yè)第127頁(yè)第128頁(yè)第129頁(yè)第130頁(yè)第131頁(yè)第132頁(yè)第133頁(yè)第134頁(yè)第135頁(yè)第136頁(yè)第137頁(yè)第138頁(yè)第139頁(yè)第140頁(yè)第141頁(yè)第142頁(yè)第143頁(yè)第144頁(yè)第145頁(yè)第146頁(yè)第147頁(yè)第148頁(yè)第149頁(yè)第150頁(yè)第151頁(yè)第152頁(yè)第153頁(yè)第154頁(yè)第155頁(yè)第156頁(yè)第157頁(yè)第158頁(yè)第159頁(yè)第160頁(yè)第161頁(yè)第162頁(yè)第163頁(yè)第164頁(yè)第165頁(yè)第166頁(yè)第167頁(yè)第168頁(yè)第169頁(yè)第170頁(yè)第171頁(yè)第172頁(yè)第173頁(yè)第174頁(yè)第175頁(yè)第176頁(yè)第177頁(yè)第178頁(yè)第179頁(yè)第180頁(yè)第181頁(yè)第182頁(yè)第183頁(yè)第184頁(yè)第185頁(yè)第186頁(yè)第187頁(yè)第188頁(yè)第189頁(yè)第190頁(yè)第191頁(yè)第192頁(yè)第193頁(yè)第194頁(yè)第195頁(yè)第196頁(yè)第197頁(yè)第198頁(yè)第199頁(yè)第200頁(yè)第201頁(yè)第202頁(yè)第203頁(yè)第204頁(yè)第205頁(yè)第206頁(yè)第207頁(yè)第208頁(yè)第209頁(yè)第210頁(yè)第211頁(yè)第212頁(yè)第213頁(yè)第214頁(yè)第215頁(yè)第216頁(yè)第217頁(yè)第218頁(yè)第219頁(yè)第220頁(yè)第221頁(yè)第222頁(yè)第223頁(yè)第224頁(yè)第225頁(yè)第226頁(yè)第227頁(yè)第228頁(yè)第229頁(yè)第230頁(yè)第231頁(yè)第232頁(yè)第233頁(yè)當(dāng)前第234頁(yè)第235頁(yè)第236頁(yè)第237頁(yè)第238頁(yè)第239頁(yè)第240頁(yè)第241頁(yè)第242頁(yè)第243頁(yè)第244頁(yè)第245頁(yè)第246頁(yè)第247頁(yè)第248頁(yè)第249頁(yè)第250頁(yè)
IGLOO DC and Switching Characteristics
2-68
Revision 23
1.5 V LVCMOS (JESD8-11)
Low-Voltage CMOS for 1.5 V is an extension of the LVCMOS standard (JESD8-5) used for general-
purpose 1.5 V applications. It uses a 1.5 V input buffer and a push-pull output buffer.
Table 2-111 Minimum and Maximum DC Input and Output Levels
Applicable to Advanced I/O Banks
1.5 V
LVCMOS
VIL
VIH
VOL
VOH
IOL IOH IOSH IOSL IIL1 IIH2
Drive
Strength
Min.
V
Max.
V
Min.
V
Max.
V
Max.
V
Min.
VmA mA
Max.
mA3
Max.
mA3 A4 A4
2 mA
–0.3 0.35 * VCCI 0.65 * VCCI 1.575
0.25 * VCCI
0.75 * VCCI
2
13
16
10 10
4 mA
–0.3 0.35 * VCCI 0.65 * VCCI 1.575
0.25 * VCCI
0.75 * VCCI
4
25
33
10 10
6 mA
–0.3 0.35 * VCCI 0.65 * VCCI 1.575
0.25 * VCCI
0.75 * VCCI
6
32
39
10 10
8 mA
–0.3 0.35 * VCCI 0.65 * VCCI 1.575
0.25 * VCCI
0.75 * VCCI
8
66
55
10 10
12 mA
–0.3 0.35 * VCCI 0.65 * VCCI 1.575
0.25 * VCCI
0.75 * VCCI 12
12
66
55
10 10
Notes:
1. IIL is the input leakage current per I/O pin over recommended operation conditions where –0.3 V < VIN < VIL.
2. IIH is the input leakage current per I/O pin over recommended operating conditions VIH < VIN < VCCI. Input current is
larger when operating outside recommended ranges
3. Currents are measured at 100°C junction temperature and maximum voltage.
4. Currents are measured at 85°C junction temperature.
5. Software default selection highlighted in gray.
Table 2-112 Minimum and Maximum DC Input and Output Levels
Applicable to Standard Plus I/O Banks
1.5 V
LVCMOS
VIL
VIH
VOL
VOH
IOL IOH IOSH
IOSL IIL1 IIH2
Drive
Strength
Min.
V
Max.
V
Min.
V
Max.
V
Max.
V
Min.
VmA mA
Max.
mA3
Max.
mA3 A4 A4
2 mA
–0.3
0.35 * VCCI 0.65 * VCCI 1.575
0.25 * VCCI 0.75 * VCCI
2
13
16
10 10
4 mA
–0.3
0.35 * VCCI 0.65 * VCCI 1.575
0.25 * VCCI 0.75 * VCCI
4
25
33
10 10
Notes:
1. IIL is the input leakage current per I/O pin over recommended operation conditions where –0.3 V < VIN < VIL.
2. IIH is the input leakage current per I/O pin over recommended operating conditions VIH < VIN < VCCI. Input current is
larger when operating outside recommended ranges
3. Currents are measured at 100°C junction temperature and maximum voltage.
4. Currents are measured at 85°C junction temperature.
5. Software default selection highlighted in gray.
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