參數(shù)資料
型號： ADM8693
廠商： Analog Devices, Inc.
英文描述： bqTINY(TM) Linear 1-cell Li-Ion Charger w/ 1-A FET, AC Present and Temp Sense in QFN-10 10-SON -40 to 85
中文描述： 微處理器監(jiān)控電路
文件頁數(shù)： 3/16頁
文件大?。?/td> 207K
代理商： ADM8693
Parameter
Min
T yp
Max
Units
T est Conditions/Comments
OSCILLAT OR
OSC IN Input Current
OSC SEL Input Pull-Up Current
OSC IN Frequency Range
OSC IN Frequency with External Capacitor
±
2
5
μ
A
μ
A
kHz
kHz
0
500
OSC SEL = 0 V
OSC SEL = 0 V, C
OSC
= 47
pF
4
NOT E
1
WDI is a three level input which is internally biased to 38% of V
CC
and has an input impedance of approximately 5 M
.
Specifications subject to change without notice.
ADM8690–ADM8695
REV. 0
–3–
ABSOLUT E MAX IMUM RAT INGS*
(T
A
= +25
°
C unless otherwise noted)
V
CC
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –0.3 V to +6 V
V
BAT T
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –0.3 V to +6 V
All Other Inputs . . . . . . . . . . . . . . . . . . –0.3 V to V
OUT
+ 0.5 V
Input Current
V
CC
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200 mA
V
BAT T
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50 mA
GND . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20 mA
Digital Output Current . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20 mA
Power Dissipation, N-8 DIP . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 400 mW
θ
JA
T hermal Impedance . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 120
°
C/W
Power Dissipation, N-16 DIP . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 600 mW
θ
JA
T hermal Impedance . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 135
°
C/W
Power Dissipation, RU-16 DIP . . . . . . . . . . . . . . . . . . 600 mW
θ
JA
T hermal Impedance . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 158
°
C/W
Power Dissipation, R-16 SOIC . . . . . . . . . . . . . . . . . . 600 mW
θ
JA
T hermal Impedance . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 110
°
C/W
Operating T emperature Range
Industrial (A Version) . . . . . . . . . . . . . . . . . –40
°
C to +85
°
C
Extended (S Version) . . . . . . . . . . . . . . . . . –55
°
C to +125
°
C
Lead T emperature (Soldering, 10 sec) . . . . . . . . . . . . . +300
°
C
Vapor Phase (60 sec) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +215
°
C
Infrared (15 sec) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +220
°
C
Storage T emperature Range . . . . . . . . . . . . . –65
°
C to +150
°
C
*Stresses above those listed under Absolute Maximum Ratings may cause perma-
nent damage to the device. T his is a stress rating only; functional operation of the
device at these or any other conditions above those listed in the operational sections
of this specification is not implied. Exposure to absolute maximum ratings for
extended periods of time may affect device reliability.
ORDE RING GUIDE
Model
T emperature Range
Package Options*
ADM8690AN
ADM8690ARN
ADM8691AN
ADM8691ARN
ADM8691ARW
ADM8691ARU
ADM8692AN
ADM8692ARN
ADM8693AN
ADM8693ARN
ADM8693ARW
ADM8693ARU
ADM8694AN
ADM8694ARN
ADM8695AN
ADM8695ARW
–40
°
C to +85
°
C
–40
°
C to +85
°
C
–40
°
C to +85
°
C
–40
°
C to +85
°
C
–40
°
C to +85
°
C
–40
°
C to +85
°
C
–40
°
C to +85
°
C
–40
°
C to +85
°
C
–40
°
C to +85
°
C
–40
°
C to +85
°
C
–40
°
C to +85
°
C
–40
°
C to +85
°
C
–40
°
C to +85
°
C
–40
°
C to +85
°
C
–40
°
C to +85
°
C
–40
°
C to +85
°
C
N-8
SO-8
N-16
R-16A
R-16
RU-16
N-8
SO-8
N-16
R-16A
R-16
RU-16
N-8
SO-8
N-16
R-16
WARNING!
ESD SENSITIVE DEVICE
C AUT ION
ESD (electrostatic discharge) sensitive device. Electrostatic charges as high as 4000 V readily
accumulate on the human body and test equipment and can discharge without detection.
Although the ADM8690–ADM8695 features proprietary ESD protection circuitry, permanent
damage may occur on devices subjected to high energy electrostatic discharges. T herefore,
proper ESD precautions are recommended to avoid performance degradation or loss of
functionality.
*N = Plastic DIP; R = Small Outline (Wide); R = Small Outline (Narrow);
RU = T hin Shrink Small Outline; SO = Small Outline.
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PDF描述
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ADM8696 Microprocessor Supervisory Circuits(微處理器監(jiān)控電路)
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參數(shù)描述
ADM8693AN 功能描述:IC SUPERVSR MPU 4.4V ADJ 16DIP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> PMIC - 監(jiān)控器 系列:- 標準包裝:1 系列:- 類型:簡單復位/加電復位 監(jiān)視電壓數(shù)目:1 輸出:開路漏極或開路集電極 復位:低有效 復位超時:標準傳輸延遲為 60 µs 電壓 - 閥值:3V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-74A，SOT-753 供應商設備封裝:SOT-23-5 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:LM8364BALMF30DKR
ADM8693ANZ 功能描述:IC SUPERVSR MPU 4.4V ADJ 16DIP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> PMIC - 監(jiān)控器 系列:- 標準包裝:1 系列:- 類型:簡單復位/加電復位 監(jiān)視電壓數(shù)目:1 輸出:開路漏極或開路集電極 復位:低有效 復位超時:標準傳輸延遲為 60 µs 電壓 - 閥值:3V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-74A，SOT-753 供應商設備封裝:SOT-23-5 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:LM8364BALMF30DKR
ADM8693ARN 功能描述:IC SUPERVSR MPU 4.4V ADJ 16SOIC RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> PMIC - 監(jiān)控器 系列:- 標準包裝:1 系列:- 類型:簡單復位/加電復位 監(jiān)視電壓數(shù)目:1 輸出:開路漏極或開路集電極 復位:低有效 復位超時:標準傳輸延遲為 60 µs 電壓 - 閥值:3V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-74A，SOT-753 供應商設備封裝:SOT-23-5 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:LM8364BALMF30DKR
ADM8693ARN-REEL 功能描述:IC SUPERVSR MPU 4.4V ADJ 16SOIC RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> PMIC - 監(jiān)控器 系列:- 標準包裝:1 系列:- 類型:簡單復位/加電復位 監(jiān)視電壓數(shù)目:1 輸出:開路漏極或開路集電極 復位:低有效 復位超時:標準傳輸延遲為 60 µs 電壓 - 閥值:3V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-74A，SOT-753 供應商設備封裝:SOT-23-5 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:LM8364BALMF30DKR
ADM8693ARNZ 功能描述:IC SUPERVSR MPU 4.4V ADJ 16SOIC RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> PMIC - 監(jiān)控器 系列:- 其它有關文件:STM6717 View All Specifications 標準包裝:1 系列:- 類型:多壓監(jiān)控器 監(jiān)視電壓數(shù)目:2 輸出:開路漏極或開路集電極 復位:低有效 復位超時:最小為 600 ms 電壓 - 閥值:1.11V，3.075V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-74A，SOT-753 供應商設備封裝:SOT-23-5 包裝:Digi-Reel® 產(chǎn)品目錄頁面:1194 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:497-7019-6
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