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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | ADG636 |
| 廠商： | Analog Devices, Inc. |
| 英文描述： | 1 pC Charge Injection, 100 pA Leakage CMOS 5 V/+5 V/+3 V Dual SPDT Switch |
| 中文描述： | 1件電荷注入，100功率放大器泄漏CMOS 5伏/ 5伏/ 3伏雙路SPDT開關(guān) |
| 文件頁數(shù)： | 4/12頁 |
| 文件大?。?/td> | 147K |
| 代理商： | ADG636 |
REV. 0
ADG636
SINGLE SUPPLY
1
–4–
–40 C to
+85 C
–40 C to
+125 C
Parameter
+25 C
Unit
Test Conditions/Comments
ANALOG SWITCH
Analog Signal Range
0 V to V
DD
V
V
DD
= 2.7 V, V
SS
= 0 V
V
S
= 1.5 V, I
S
=
–
1 mA, Test Circuit 1
On Resistance (R
ON
)
On Resistance Match Between
Channels (
R
ON
)
380
420
460
typ
5
typ
V
S
= 1.5 V, I
S
=
–
1 mA
LEAKAGE CURRENTS
Source OFF Leakage I
S
(OFF)
V
DD
= 3.3 V
V
S
= 1 V/3 V, V
D
= 3 V/1 V,
Test Circuit 2
V
S
= 1 V/3 V, V
D
= 3 V/1 V,
Test Circuit 2
V
S
= V
D
= 1 V/3 V,
Test Circuit 3
±
0.01
±
0.1
±
0.01
±
0.1
±
0.01
±
0.1
nA typ
nA max
nA typ
nA max
nA typ
nA max
±
0.25
±
2
Drain OFF Leakage I
D
(OFF)
±
0.25
±
2
Channel ON Leakage I
D
, I
S
(ON)
±
0.25
±
6
DIGITAL INPUTS
Input High Voltage, V
INH
Input Low Voltage, V
INL
Input Current
I
INL
or I
INH
2.0
0.8
V min
V max
0.005
μ
A typ
μ
A max
pF typ
V
IN
= V
INL
or V
INH
±
0.1
C
IN
, Digital Input Capacitance
DYNAMIC CHARACTERISTICS
2
Transition Time
2
170
320
250
360
110
175
80
ns typ
ns max
ns typ
ns max
ns typ
ns max
ns typ
ns min
pC typ
V
S1A
= 2 V, V
S1B
= 0 V, R
L
= 300
,
C
L
= 35 pF, Test Circuit 4
R
L
= 300
, C
L
= 35 pF
V
S
= 2 V, Test Circuit 6
R
L
= 300
, C
L
= 35 pF
V
S
= 2 V, Test Circuit 6
R
L
= 300
, C
L
= 35 pF,
V
S1
= 2 V, Test Circuit 5
V
S
= 0 V, R
S
= 0
,
C
L
= 1 nF,
Test Circuit 7
R
L
= 50
, C
L
= 5 pF, f = 10 MHz,
Test Circuit 8
R
L
= 50
, C
L
= 5 pF, f = 10 MHz,
Test Circuit 10
R
L
= 50
, C
L
= 5 pF, Test Circuit 9
f = 1 MHz
f = 1 MHz
f = 1 MHz
390
450
t
ON
Enable
460
530
t
OFF
Enable
205
230
Break-Before-Make Time Delay, t
BBM
10
Charge Injection
0.6
Off Isolation
–
60
dB typ
Channel-to-Channel Crosstalk
–
65
dB typ
Bandwidth
–
3 dB
C
S
(OFF)
C
D
(OFF)
C
D,
C
S
(ON)
530
5
8
8
MHz typ
pF typ
pF typ
pF typ
POWER REQUIREMENTS
V
DD
= 3.3 V
Digital Inputs = 0 V or 3.3 V
I
DD
0.001
μ
A typ
1.0
μ
A max
NOTES
1
Y Version Temperature Range:
–
40
°
C to +125
°
C
2
Guaranteed by design, not subject to production test.
Specifications subject to change without notice.
(V
DD
= 3 V 10%, V
SS
= 0 V, GND = 0 V. All specifications –40 C to +125 C unless otherwise noted.)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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| ADG636YRU | 1 pC Charge Injection, 100 pA Leakage CMOS 5 V/+5 V/+3 V Dual SPDT Switch |
| ADG658YRU | +3 V/+5 V/【5 V CMOS 4-/8-Channel Analog Multiplexers |
| ADG658 | +3 V/+5 V/【5 V CMOS 4-/8-Channel Analog Multiplexers |
| ADG659 | +3 V/+5 V/【5 V CMOS 4-/8-Channel Analog Multiplexers |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| ADG636YRU | 功能描述:IC SWITCH DUAL SPDT 14TSSOP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 接口 - 模擬開關(guān)，多路復(fù)用器，多路分解器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:48 系列:- 功能:開關(guān) 電路:4 x SPST - NO 導(dǎo)通狀態(tài)電阻:100 歐姆 電壓電源:單/雙電源 電壓 - 電源，單路/雙路(±):2 V ~ 12 V，±2 V ~ 6 V 電流 - 電源:50nA 工作溫度:-40°C ~ 85°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:16-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:16-SOIC 包裝:管件 |
| ADG636YRU-REEL | 功能描述:IC SWITCH DUAL SPDT 14TSSOP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 接口 - 模擬開關(guān)，多路復(fù)用器，多路分解器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 功能:多路復(fù)用器 電路:1 x 4:1 導(dǎo)通狀態(tài)電阻:- 電壓電源:雙電源 電壓 - 電源，單路/雙路(±):±5V 電流 - 電源:7mA 工作溫度:-40°C ~ 85°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:16-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:16-SOIC 包裝:帶卷 (TR) |
| ADG636YRU-REEL7 | 制造商:Analog Devices 功能描述:Analog Switch Dual SPDT 14-Pin TSSOP T/R 制造商:Analog Devices 功能描述:ANLG SW DUAL SPDT 5.5V/5.5V 14TSSOP - Tape and Reel |
| ADG636YRUZ | 功能描述:IC SWITCH DUAL SPDT 14TSSOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 接口 - 模擬開關(guān)，多路復(fù)用器，多路分解器 系列:- 特色產(chǎn)品:MicroPak? 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 功能:開關(guān) 電路:2 x SPST - NC 導(dǎo)通狀態(tài)電阻:500 毫歐 電壓電源:單電源 電壓 - 電源，單路/雙路(±):1.4 V ~ 4.3 V 電流 - 電源:150nA 工作溫度:-40°C ~ 125°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-XFDFN 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-XSON，SOT833-1 （1.95x1） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:568-5557-6 |
| ADG636YRUZ | 制造商:Analog Devices 功能描述:IC DUAL SPDT SWITCH |
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