C
參數(shù)資料
型號： ADG5236BRUZ-RL7
廠商： Analog Devices Inc
文件頁數(shù)： 16/20頁
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描述： IC SWITCH SPDT DUAL 16TSSOP
標(biāo)準(zhǔn)包裝： 1,000
功能： 開關(guān)
電路： 2 x SPDT
導(dǎo)通狀態(tài)電阻： 170 歐姆
電壓電源： 單/雙電源
電壓 - 電源，單路/雙路(±)： 9 V ~ 40 V，±9 V ~ ±22 V
電流 - 電源： 85µA
工作溫度： -40°C ~ 125°C
安裝類型： 表面貼裝
封裝/外殼： 16-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬）
供應(yīng)商設(shè)備封裝： 16-TSSOP
包裝： 帶卷 (TR)
Data Sheet
ADG5236
Rev. B | Page 5 of 20
Parameter
25°C
40°C to +85°C
40°C to +125°C
Unit
Test Conditions/Comments
CS (Off)
2.5
pF typ
VS = 0 V, f = 1 MHz
CD (Off)
12
pF typ
VS = 0 V, f = 1 MHz
CD (On), CS (On)
15
pF typ
VS = 0 V, f = 1 MHz
POWER REQUIREMENTS
VDD = +22 V, VSS = 22 V
IDD
50
A typ
Digital inputs = 0 V or VDD
70
110
A max
ISS
0.001
A typ
Digital inputs = 0 V or VDD
1
A max
VDD/VSS
±9/±22
V min/V max
GND = 0 V
1
Guaranteed by design; not subject to production test.
12 V SINGLE SUPPLY
VDD = 12 V ± 10%, VSS = 0 V, GND = 0 V, unless otherwise noted.
Table 3.
Parameter
25°C
40°C to +85°C
40°C to +125°C
Unit
Test Conditions/Comments
ANALOG SWITCH
Analog Signal Range
0 V to VDD
V max
On Resistance, RON
350
typ
VS = 0 V to 10 V, IS = 1 mA, see
500
610
700
max
VDD = 10.8 V, VSS = 0 V
On-Resistance Match
Between Channels, RON
3
typ
VS = 0 V to 10 V, IS = 1 mA
20
21
22
max
On-Resistance Flatness, RFLAT (ON)
145
typ
VS = 0 V to 10 V, IS = 1 mA
280
335
370
max
LEAKAGE CURRENTS
VDD = 13.2 V, VSS = 0 V
Source Off Leakage, IS (Off)
0.01
nA typ
VS = 1 V/10 V, VD = 10 V/1 V,
0.1
0.2
0.4
nA max
Drain Off Leakage, ID (Off)
0.01
nA typ
VS = 1 V/10 V, VD = 10 V/1 V,
0.1
0.4
1.2
nA max
Channel On Leakage, ID (On), IS (On)
0.02
nA typ
VS = VD = 1 V/10 V, see Figure 24
0.2
0.4
1.2
nA max
DIGITAL INPUTS
Input High Voltage, VINH
2.0
V min
Input Low Voltage, VINL
0.8
V max
Input Current, IINL or IINH
0.002
A typ
VIN = VGND or VDD
±0.1
A max
Digital Input Capacitance, CIN
3
pF typ
DYNAMIC CHARACTERISTICS1
Transition Time, tTRANSITION
220
ns typ
RL = 300 , CL = 35 pF
390
430
490
ns max
VS = 8 V, see Figure 30
tON
275
ns typ
RL = 300 , CL = 35 pF
380
440
510
ns max
VS = 8 V, see Figure 32
tOFF
160
ns typ
RL = 300 , CL = 35 pF
195
225
245
ns max
VS = 8 V, see Figure 32
Break-Before-Make Time Delay, tD
145
ns typ
RL = 300 , CL = 35 pF
65
ns min
VS1 = VS2 = 8 V, see Figure 31
Charge Injection, QINJ
0.6
pC typ
VS = 6 V, RS = 0 , CL = 1 nF, see
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