參數(shù)資料
型號： ADG1219BRJZ-REEL7
廠商： Analog Devices Inc
文件頁數(shù)： 11/16頁
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描述： IC SWITCH SPDT SOT23-8
產(chǎn)品培訓模塊： iCMOS™ Switches and Multiplexers for Data Acquisition
Switch Fundamentals
標準包裝： 1
系列： iCMOS®
功能： 開關(guān)
電路： 1 x SPDT - NC/NO
導通狀態(tài)電阻： 475 歐姆
電壓電源： 單/雙電源
電壓 - 電源，單路/雙路(±)： 12V，±15V
電流 - 電源： 140µA
工作溫度： -40°C ~ 85°C
安裝類型： 表面貼裝
封裝/外殼： SOT-23-8
供應商設備封裝： SOT-23-8
包裝： 標準包裝
產(chǎn)品目錄頁面： 801 (CN2011-ZH PDF)
其它名稱： ADG1219BRJZ-REEL7DKR
ADG1219
Rev. A | Page 4 of
16
B Version1
Parameters
25°C
40°C to +85°C
40°C to +125°C
Unit
Test Conditions/Comments
POWER REQUIREMENTS
VDD = +16.5 V, VSS = 16.5 V
IDD
0.001
μA typ
Digital inputs = 0 V or VDD
1.0
μA max
IDD
140
μA typ
Digital inputs = 5 V
190
μA max
ISS
0.001
μA typ
Digital inputs = 0 V, 5 V or VDD
1.0
μA max
VDD/VSS
±5/±16.5
V
min/max
|VDD | = |VSS|
1 Temperature range for B version is 40°C to +125°C.
2 Guaranteed by design; not subject to production test.
SINGLE SUPPLY
VDD = 12 V ± 10%, VSS = 0 V, GND = 0 V, unless otherwise noted.
Table 2.
B Version1
Parameters
25°C
40°C to +85°C
40°C to +125°C
Unit
Test Conditions/Comments
ANALOG SWITCH
Analog Signal Range
0 V to VDD
V
On Resistance, RON
300
Ω typ
VS = 0 V to 10 V, IS = 1 mA; see
475
567
625
Ω max
VDD = 10.8 V, VSS = 0 V
On Resistance Match Between
Channels, RON
4.5
Ω typ
VS = 0 V to 10 V, IS = 1 mA
16
26
27
Ω max
On Resistance Flatness, RFLAT(ON)
60
Ω typ
VS = 3 V, 6 V, 9 V, IS = 1 mA
LEAKAGE CURRENTS
VDD = 13.2 V
Source Off Leakage, IS (Off)
±0.006
nA typ
VS = 1 V/10 V, VD = 10 V/1 V; see
±0.1
±0.6
±1
nA max
Drain Off Leakage, ID (Off)
±0.006
nA typ
VS = 1 V/10 V, VD = 10 V/1 V; see
±0.1
±0.6
±1
nA max
Channel On Leakage, ID, IS (On)
±0.02
nA typ
VS = VD = 1 V or 10 V; see
±0.2
±0.6
±1
nA max
DIGITAL INPUTS
Input High Voltage, VINH
2.0
V min
Input Low Voltage, VINL
0.8
V max
Input Current, IINL or IINH
0.001
μA typ
VIN = VINL or VINH
±0.1
μA max
Digital Input Capacitance, CIN
3
pF typ
DYNAMIC CHARACTERISTICS2
Transition Time, tTRANSITION
195
ns typ
RL = 300 Ω, CL = 35 pF
250
300
340
ns max
VS = 8 V; see
tON (EN)
120
ns typ
RL = 300 Ω, CL = 35 pF
150
190
210
ns max
VS = 8 V; see
tOFF (EN)
145
ns typ
RL = 300 Ω, CL = 35 pF
185
220
255
ns max
VS = 8 V; see
Break-Before-Make Time Delay, tBBM
70
ns typ
RL = 300 Ω, CL = 35 pF
10
ns min
VS1 = VS2 = 8 V; see
Charge Injection
0.8
pC typ
VS = 6 V, RS = 0 Ω, CL = 1 nF; see
Off Isolation
80
dB typ
RL = 50 Ω, CL = 5 pF, f = 1 MHz;
see
Channel-to-Channel Crosstalk
80
dB typ
RL = 50 Ω, CL = 5 pF, f = 1 MHz;
see
3 dB Bandwidth
400
MHz typ
RL = 50 Ω, CL = 5 pF; see
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