參數(shù)資料
型號： ADF4113HVBRUZ-RL7
廠商： Analog Devices Inc
文件頁數(shù)： 18/20頁
文件大?。?/td> 0K
描述： IC CHARGE PUMP HV SYNTH 16-TSSOP
標準包裝： 1,000
類型： 時鐘/頻率合成器，RF
PLL： 是
輸入： CMOS，TTL
輸出： 時鐘
電路數(shù)： 1
比率 - 輸入:輸出： 2:1
差分 - 輸入:輸出： 是/無
頻率 - 最大： 4GHz
除法器/乘法器： 是/無
電源電壓： 2.7 V ~ 5.5 V
工作溫度： -40°C ~ 85°C
安裝類型： 表面貼裝
封裝/外殼： 16-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬）
供應商設備封裝： 16-TSSOP
包裝： 帶卷 (TR)
配用： EVAL-ADF4113HVEB1Z-ND - BOARD EVALUATION FOR ADF4113HV
EVAL-ADF4113EBZ2-ND - BOARD EVAL FOR ADF4113 1750MHZ
EVAL-ADF4113EBZ1-ND - BOARD EVAL FOR ADF4113
EVAL-ADF411XEBZ1-ND - BOARD EVAL FOR ADF411X NO CHIP
Data Sheet
ADF4113HV
Rev. B | Page 7 of 20
TYPICAL PERFORMANCE CHARACTERISTICS
Loop bandwidth = 25 kHz, reference = 10 MHz reference from Agilent E4440A PSA, VCO = Sirenza VCO190-1500T(Y), evaluation
board = EV-ADF4113HVSDZ1.
FREQ
–UNIT
PARAM
–TYPE
DATA
–FORMAT
KEYWORD
IMPEDANCE
–OHMS
GHz
S
MA
R
50
FREQ
MAGS11
ANGS11
1.05
0.9512
–40.134
1.10
0.93458
–43.747
1.15
0.94782
–44.393
1.20
0.96875
–46.937
1.25
0.92216
–49.6
1.30
0.93755
–51.884
1.35
0.96178
–51.21
1.40
0.94354
–53.55
1.45
0.95189
–56.786
1.50
0.97647
–58.781
1.55
0.98619
–60.545
1.60
0.95459
–61.43
1.65
0.97945
–61.241
1.70
0.98864
–64.051
1.75
0.97399
–66.19
1.80
0.97216
–63.775
FREQ
MAGS11
ANGS11
0.05
0.89207
–2.0571
0.10
0.8886
–4.4427
0.15
0.89022
–6.3212
0.20
0.96323
–2.1393
0.25
0.90566
–12.13
0.30
0.90307
–13.52
0.35
0.89318
–15.746
0.40
0.89806
–18.056
0.45
0.89565
–19.693
0.50
0.88538
–22.246
0.55
0.89699
–24.336
0.60
0.89927
–25.948
0.65
0.87797
–28.457
0.70
0.90765
–29.735
0.75
0.88526
–31.879
0.80
0.81267
–32.681
0.85
0.90357
–31.522
0.90
0.92954
–34.222
0.95
0.92087
–36.961
1.00
0.93788
–39.343
06223-
005
Figure 5. S-Parameter Data for the ADF4113HV RF Input (Up to 1.8 GHz)
0
–45
0
6k
06223-
027
RF INPUT FREQUENCY (MHz)
RF
I
NP
UT
P
O
W
E
R
(
d
Bm)
–5
–10
–15
–20
–25
–30
–35
–40
1k
2k
3k
4k
5k
+25°C
+85°C
–40°C
Figure 6. Input Sensitivity
100
1M
06223-
042
FREQUENCY OFFSET (Hz)
1k
10k
100k
1kHz
–91.08dBc/Hz
–80
–90
–70
–100
–110
–120
–130
–140
–150
–160
–170
PH
A
SE
N
O
ISE
(d
B
c
/H
z)
CARRIER POWER: –5.09dBm
Figure 7. Integrated Phase Noise
(RF = 1000 MHz, PFD = 1 MHz, VTUNE = 1.8 V, RMS Noise = 0.93°)
5
–95
–1.
25M
–1.
00M
–0.
75M
–0.
50M
–0.
25M
1.
00G
0.
25M
0.
50M
0.
75M
1.
00M
1.
25M
06223-
043
FREQUENCY (Hz)
PO
W
ER
(d
B
)
–5
–15
–25
–35
–45
–55
–65
–75
–85
1MHz
–92.428dBc
Figure 8. Reference Spurs (RF = 1000 MHz, PFD = 1 MHz)
100
1M
06223-
040
FREQUENCY OFFSET (Hz)
1k
10k
100k
1kHz
–86.33dBc/Hz
–80
–90
–70
–100
–110
–120
–130
–140
–150
–160
–170
PH
A
SE
N
O
ISE
(d
B
c
/H
z)
CARRIER POWER: –0.88dBm
Figure 9. Integrated Phase Noise
(RF = 1800 MHz, PFD= 1 MHz, VTUNE = 13.1 V, RMS Noise = 1.16°)
0
–100
–1.
25M
–1.
00M
–0.
75M
–0.
50M
–0.
25M
1.
00G
0.
25M
0.
50M
0.
75M
1.
00M
1.
25M
06223-
041
FREQUENCY (Hz)
PO
W
ER
(d
B
)
–10
–20
–30
–40
–50
–60
–70
–80
–90
1MHz
–87.264dBc
Figure 10. Reference Spurs (RF = 1800 MHz, PFD = 1 MHz)
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