參數(shù)資料
型號： ADF4107BCP-REEL7
廠商： ANALOG DEVICES INC
元件分類： XO, clock
英文描述： PLL Frequency Synthesizer
中文描述： PLL FREQUENCY SYNTHESIZER, 7000 MHz, QCC20
封裝： 4 X 4 MM, ROHS COMPLIAT, MO-220VGGD-1, LFCSP-20
文件頁數(shù)： 5/20頁
文件大?。?/td> 792K
代理商： ADF4107BCP-REEL7
ADF4107
TIMING CHARACTERISTICS
Table 2. (AV
DD
= DV
DD
= 3 V ± 10%, AV
DD
≤ V
P
≤ 5.5 V, AGND = DGND = CPGND = 0 V, R
SET
= 5.1 k, dBm referred to 50 ,
T
A
= T
MAX
to T
MIN
, unless otherwise noted.)
1
Parameter
Limit
2
(B Version)
t
1
10
t
2
10
t
3
25
t
4
25
t
5
10
t
6
20
Unit
ns min
ns min
ns min
ns min
ns min
ns min
Test Conditions/Comments
DATA to CLOCK Setup Time
DATA to CLOCK Hold Time
CLOCK High Duration
CLOCK Low Duration
CLOCK to LE Setup Time
LE Pulsewidth
1
Guaranteed by design but not production tested.
2
Operating temperature range (B Version) is –40°C to +85°C.
CLOCK
DB22
DB2
DATA
LE
t
1
LE
DB23 (MSB)
t
2
DB1(CONTROL
BIT C2)
DB0 (LSB)
(CONTROL BIT C1)
t
3
t
4
t
6
t
5
Figure 2. Timing Diagram
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Table 3. (T
A
= 25°C, unless otherwise noted.)
Parameter
AV
DD
to GND
1
AV
DD
to DV
DD
V
P
to GND
V
P
to AV
DD
Digital I/O Voltage to GND
Analog I/O Voltage to GND
REFIN, RF
IN
A, RF
IN
B to GND
Operating Temperature Range
Industrial (B Version)
Storage Temperature Range
Maximum Junction Temperature
TSSOP θ
JA
Thermal Impedance
CSP θ
JA
Thermal Impedance
Lead Temperature, Soldering
Vapor Phase (60 sec)
Infrared (15 sec)
Transistor Count
CMOS
Bipolar
Rating
–0.3 V to +3.6 V
–0.3 V to +0.3 V
–0.3 V to +5.8 V
–0.3 V to +5.8 V
–0.3 V to V
DD
+ 0.3 V
–0.3 V to V
P
+ 0.3 V
–0.3 V to V
DD
+ 0.3 V
–40°C to +85°C
–65°C to +125°C
150°C
150.4°C/W
122°C/W
215°C
220°C
6425
303
Stresses above those listed under Absolute Maximum Ratings
may cause permanent damage to the device. This is a stress
rating only; functional operation of the device at these or any
other conditions above those listed in the operational sections
of this specification is not implied. Exposure to absolute
maximum rating conditions for extended periods may affect
device reliability.
This device is a high performance RF integrated circuit with an
ESD rating of <2 kV, and it is ESD sensitive. Proper precautions
should be taken for handling and assembly.
1
GND = AGND = DGND = 0 V.
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