VS = 5.0 V, V
參數(shù)資料
型號(hào)： AD8692ARMZ-R7
廠商： Analog Devices Inc
文件頁數(shù)： 11/16頁
文件大?。?/td> 0K
描述： IC OPAMP GP R-R CMOS 10MHZ 8MSOP
標(biāo)準(zhǔn)包裝： 1,000
放大器類型： 通用
電路數(shù)： 2
輸出類型： 滿擺幅
轉(zhuǎn)換速率： 5 V/µs
增益帶寬積： 10MHz
電流 - 輸入偏壓： 0.2pA
電壓 - 輸入偏移： 400µV
電流 - 電源： 950µA
電流 - 輸出 / 通道： 80mA
電壓 - 電源，單路/雙路(±)： 2.7 V ~ 5.5 V，±1.35 V ~ 2.75 V
工作溫度： -40°C ~ 125°C
安裝類型： 表面貼裝
封裝/外殼： 8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 寬）
供應(yīng)商設(shè)備封裝： 8-MSOP
包裝： 帶卷 (TR)
AD8691/AD8692/AD8694
Data Sheet
Rev. F | Page 4 of 16
VS = 5.0 V, VCM = VS/2, TA = 25°C, unless otherwise noted.
Table 2.
Parameter
Symbol
Test Conditions/Comments
Min
Typ
Max
Unit
INPUT CHARACTERISTICS
Offset Voltage
VOS
VCM = 0.3 V to +3.9 V
0.4
2.0
mV
VCM = 0.1 V to +3.9 V; 40°C < TA < +125°C
3.0
mV
Input Bias Current
IB
0.2
1
pA
40°C < TA < +85°C
50
pA
40°C < TA < +125°C
260
pA
Input Offset Current
IOS
0.1
0.5
pA
40°C < TA < +85°C
20
pA
40°C < TA < +125°C
75
pA
Input Voltage Range
0.3
+3.9
V
Common-Mode Rejection Ratio
CMRR
VCM = 0.3 V to +3.9 V
70
95
dB
VCM = 0.1 V to +3.9 V; 40°C < TA < +125°C
67
95
dB
Large Signal Voltage Gain
AVO
VO = 0.5 V to 4.5 V, RL = 2 k, VCM = 0 V
250
2000
V/mV
VO = 0.5 V to 4.5 V, RL = 2 k, VCM = 0 V
150
V/mV
Offset Voltage Drift
VOS/T
2
12
V/°C
1.3
6
V/°C
INPUT CAPACITANCE
Common-Mode Input Capacitance
CCM
5
pF
Differential Input Capacitance
CDM
2.5
pF
OUTPUT CHARACTERISTICS
Output Voltage High
VOH
IL = 1 mA
4.96
4.98
V
IL = 10 mA
4.7
4.78
V
40°C to +125°C
4.6
V
Output Voltage Low
VOL
IL = 1 mA
20
40
mV
IL = 10 mA
165
210
mV
IL = 10 mA
185
240
mV
40°C to +125°C
290
mV
40°C to +125°C
370
mV
Short-Circuit Current
ISC
±80
mA
Closed-Loop Output Impedance
ZOUT
f = 1 MHz, AV = 1
10
POWER SUPPLY
Power Supply Rejection Ratio
PSRR
VS = 2.7 V to 5.5 V
80
95
dB
40°C < TA < +125°C
75
95
dB
Supply Current/Amplifier
ISY
VO = 0 V
0.95
1.05
mA
40°C < TA < +125°C
1.3
mA
DYNAMIC PERFORMANCE
Slew Rate
SR
RL = 2 k
5
V/s
Settling Time
tS
To 0.01%
1
s
Full Power Bandwidth
BWP
<1% distortion
360
kHz
Gain Bandwidth Product
GBP
10
MHz
Phase Margin
m
65
Degrees
Total Harmonic Distortion + Noise
THD + N
G = 1, RL = 600 , f = 1 kHz, VO = 1 V p-p
0.0006
%
NOISE PERFORMANCE
Voltage Noise
en p-p
f = 0.1 Hz to 10 Hz
1.6
3.0
V p-p
Voltage Noise Density
en
f = 1 kHz
8
12
nV/√Hz
en
f = 10 kHz
6.5
nV/√Hz
Current Noise Density
in
f = 1 kHz
0.05
pA/√Hz
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