VS = ±2.5V R<" />
參數(shù)資料
型號(hào)： AD8609ARZ-REEL7
廠商： Analog Devices Inc
文件頁數(shù)： 16/16頁
文件大?。?/td> 0K
描述： IC OPAMP GP R-R CMOS QUAD 14SOIC
標(biāo)準(zhǔn)包裝： 1,000
放大器類型： 通用
電路數(shù)： 4
輸出類型： 滿擺幅
轉(zhuǎn)換速率： 0.1 V/µs
增益帶寬積： 400kHz
電流 - 輸入偏壓： 0.2pA
電壓 - 輸入偏移： 12µV
電流 - 電源： 40µA
電流 - 輸出 / 通道： 70mA
電壓 - 電源，單路/雙路(±)： 1.8 V ~ 5 V，±0.9 V ~ 2.5 V
工作溫度： -40°C ~ 125°C
安裝類型： 表面貼裝
封裝/外殼： 14-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
供應(yīng)商設(shè)備封裝： 14-SOIC
包裝： 帶卷 (TR)
AD8603/AD8607/AD8609
Rev. C | Page 9 of 16
VS = ±2.5V
RL = 10k
AV = 100
VIN = 50mV
0V
–50mV
+2.5V
TIME (4
μs/DIV))
V
IN
(m
V)
V
OU
T
(V
)
TIME (40s/DIV)
04
35
6-
0
24
Figure 24. Negative Overload Recovery
VS = ±2.5V
RL = 10k
AV = 100
VIN = 50mV
0V
–50mV
+2.5V
TIME (4s/DIV)
04
35
6-
02
5
V
IN
(m
V)
V
OU
T(V
)
Figure 25. Positive Overload Recovery
FREQUENCY (kHz)
V
O
L
T
A
G
E
N
O
ISE
D
E
N
S
IT
Y
(n
V/
√Hz
)
24
0.1
1.0
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
0
48
72
96
120
144
168
0
VS = ±2.5V
0
435
6-
0
26
Figure 26. Voltage Noise Density vs. Frequency
FREQUENCY (kHz)
VO
L
T
A
G
E
N
O
IS
E
D
EN
SI
T
Y
(
n
V/
√Hz
)
22
11
2
34
567
89
0
44
66
88
110
132
176
0
VS = ±2.5V
154
04
35
6-
02
7
Figure 27. Voltage Noise Density vs. Frequency
VOS (V)
NUM
BE
R
O
F
AM
P
L
IF
IE
RS
–300
0
300
500
800
–240
60
240
–180 –120
120
180
300
400
200
100
700
600
0
–60
50
150
250
350
450
550
650
750
VS = 1.8V
TA = 25°C
VCM = 0V TO 1.8V
04
35
6-
02
8
Figure 28. VOS Distribution
VCM(V)
V
OS
(
V
)
0
–300
–100
100
300
0.9
0.6
0.3
1.5
1.8
1.2
–200
–150
–250
–50
0
50
150
200
250
VS = 1.8V
TA = 25°C
0
4
3
5
6
-0
2
9
VCM (V)
Figure 29. Input Offset Voltage vs. Common-Mode Voltage
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PDF描述
0001.2525 FUSE 1.25A 250V 6.3X32 T-LAG
0001.2528 FUSE 2.5A 250V 6.3X32 T-LAG
0001.2526 FUSE 1.6A 250V 6.3X32 T-LAG
0459858313 CONN HEADER 8PWR 12SGL 1.57MM
5-1879213-0 RES 86.6 OHM 1/16W 0.1% 0402
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AD8610ARM 制造商:AD 制造商全稱:Analog Devices 功能描述:Precision Very Low Noise Low Input Bias Current Wide Bandwidth JFET Operational Amplifiers
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