VS = 5.0 V, VCM
參數(shù)資料
型號(hào)： AD8532ARMZ-R2
廠商： Analog Devices Inc
文件頁(yè)數(shù)： 15/20頁(yè)
文件大小： 0K
描述： IC OPAMP GP R-R CMOS 3MHZ 8MSOP
標(biāo)準(zhǔn)包裝： 1
放大器類(lèi)型： 通用
電路數(shù)： 2
輸出類(lèi)型： 滿(mǎn)擺幅
轉(zhuǎn)換速率： 5 V/µs
增益帶寬積： 3MHz
電流 - 輸入偏壓： 5pA
電壓 - 輸入偏移： 25000µV
電流 - 電源： 750µA
電流 - 輸出 / 通道： 250mA
電壓 - 電源，單路/雙路(±)： 2.7 V ~ 6 V，±1.35 V ~ 3 V
工作溫度： -40°C ~ 85°C
安裝類(lèi)型： 表面貼裝
封裝/外殼： 8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 寬）
供應(yīng)商設(shè)備封裝： 8-MSOP
包裝： 標(biāo)準(zhǔn)包裝
其它名稱(chēng)： AD8532ARMZ-R2DKR
AD8531/AD8532/AD8534
Rev. F | Page 4 of 20
VS = 5.0 V, VCM = 2.5 V, TA = 25°C, unless otherwise noted.
Table 2.
Parameter
Symbol
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
INPUT CHARACTERISTICS
Offset Voltage
VOS
25
mV
40°C ≤ TA ≤ +85°C
30
mV
Input Bias Current
IB
5
50
pA
40°C ≤ TA ≤ +85°C
60
pA
Input Offset Current
IOS
1
25
pA
40°C ≤ TA ≤ +85°C
30
pA
Input Voltage Range
0
5
V
Common-Mode Rejection Ratio
CMRR
VCM = 0 V to 5 V
38
47
dB
Large Signal Voltage Gain
AVO
RL = 2 kΩ, VO = 0.5 V to 4.5 V
15
80
V/mV
Offset Voltage Drift
ΔVOS/ΔT
40°C ≤ TA ≤ +85°C
20
μV/°C
Bias Current Drift
ΔIB/ΔT
50
fA/°C
Offset Current Drift
ΔIOS/ΔT
20
fA/°C
OUTPUT CHARACTERISTICS
Output Voltage High
VOH
IL = 10 mA
4.9
4.94
V
40°C ≤ TA ≤ +85°C
4.85
V
Output Voltage Low
VOL
IL = 10 mA
50
100
mV
40°C ≤ TA ≤ +85°C
125
mV
Output Current
IOUT
±250
mA
Closed-Loop Output Impedance
ZOUT
f = 1 MHz, AV = 1
40
Ω
POWER SUPPLY
Power Supply Rejection Ratio
PSRR
VS = 3 V to 6 V
45
55
dB
Supply Current/Amplifier
ISY
VO = 0 V
0.75
1.25
mA
40°C ≤ TA ≤ +85°C
1.75
mA
DYNAMIC PERFORMANCE
Slew Rate
SR
RL = 2 kΩ
5
V/μs
Full-Power Bandwidth
BWp
1% distortion
350
kHz
Settling Time
tS
To 0.01%
1.4
μs
Gain Bandwidth Product
GBP
3
MHz
Phase Margin
фo
70
Degrees
Channel Separation
CS
f = 1 kHz, RL = 2 kΩ
65
dB
NOISE PERFORMANCE
Voltage Noise Density
en
f = 1 kHz
45
nV/√Hz
f = 10 kHz
30
nV/√Hz
Current Noise Density
in
f = 1 kHz
0.05
pA/√Hz
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PDF描述
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