參數(shù)資料
型號(hào)： AD8295BCPZ-WP
廠(chǎng)商： Analog Devices Inc
文件頁(yè)數(shù)： 22/28頁(yè)
文件大?。?/td> 0K
描述： IC IN AMP PREC FE +/-18V 16LFCSP
標(biāo)準(zhǔn)包裝： 64
放大器類(lèi)型： 儀表
電路數(shù)： 3
轉(zhuǎn)換速率： 2 V/µs
增益帶寬積： 1MHz
-3db帶寬： 1.2MHz
電流 - 輸入偏壓： 200pA
電壓 - 輸入偏移： 60µV
電流 - 電源： 2mA
電流 - 輸出 / 通道： 18mA
電壓 - 電源，單路/雙路(±)： 4.6 V ~ 36 V，±2.3 V ~ 18 V
工作溫度： -40°C ~ 85°C
安裝類(lèi)型： 表面貼裝
封裝/外殼： 16-VQFN，CSP
供應(yīng)商設(shè)備封裝： 16-LFCSP（4x4）
包裝： 托盤(pán) - 晶粒
AD8295
Rev. A | Page 3 of
28
SPECIFICATIONS
INSTRUMENTATION AMPLIFIER SPECIFICATIONS, SINGLE-ENDED AND DIFFERENTIAL OUTPUT
CONFIGURATIONS
VS = ±15 V, VREF = 0 V, TA = 25°C, G = 1, RL = 2 kΩ, unless otherwise noted. The differential configuration is shown in Figure 65.
Table 2.
A Grade
B Grade
Parameter
Test Conditions
Min
Typ
Max
Min
Typ
Max
Unit
COMMON-MODE REJECTION
RATIO (CMRR)
VCM = 10 V to +10 V
CMRR, DC to 60 Hz
1 kΩ source imbalance
G = 1
80
90
dB
G = 10
100
110
dB
G = 100
120
130
dB
G = 1000
130
140
dB
CMRR at 8 kHz
G = 1
80
dB
G = 10
90
100
dB
G = 100
100
120
dB
G = 1000
110
120
dB
NOISE
Voltage Noise, 1 kHz
RTI noise =
√(eNI2 + (eNO/G)2)
Input Voltage Noise, eNI
VIN+, VIN, VREF = 0 V
8
nV/√Hz
Output Voltage Noise, eNO
VIN+, VIN, VREF = 0 V
75
nV/√Hz
RTI
f = 0.1 Hz to 10 Hz
G = 1
2
μV p-p
G = 10
0.5
μV p-p
G = 100 to 1000
0.25
μV p-p
Current Noise
f = 1 kHz
40
fA/√Hz
f = 0.1 Hz to 10 Hz
6
pA p-p
VOLTAGE OFFSET
RTI VOS = VOSI + (VOSO/G)
Input Offset Voltage, VOSI
VS = ±5 V to ±15 V
120
60
μV
Over Temperature
TA = 40°C to +85°C
150
80
μV
Average TC
0.4
0.3
μV/°C
Output Offset Voltage, VOSO
VS = ±5 V to ±15 V
500
350
μV
Over Temperature
TA = 40°C to +85°C
0.8
0.5
mV
Average TC
9
5
μV/°C
Offset RTI vs. Supply (PSR)
VS = ±2.3 V to ±18 V
G = 1
90
110
94
110
dB
G = 10
110
120
114
130
dB
G = 100
124
130
140
dB
G = 1000
130
140
150
dB
INPUT CURRENT
Input Bias Current
0.5
2.0
0.2
0.8
nA
Over Temperature
TA = 40°C to +85°C
3.0
1.5
nA
Average TC
1
pA/°C
Input Offset Current
0.2
1
0.1
0.5
nA
Over Temperature
TA = 40°C to +85°C
1.5
0.6
nA
Average TC
1
0.5
2
pA/°C
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PDF描述
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