RF 432 432 2" />
參數(shù)資料
型號: AD8000YRDZ-REEL
廠商: Analog Devices Inc
文件頁數(shù): 6/21頁
文件大小: 0K
描述: IC OPAMP CF LN 100MA 8SOIC
產(chǎn)品培訓(xùn)模塊: Practical Guide High Speed PCB Layout
標(biāo)準(zhǔn)包裝: 2,500
放大器類型: 電流反饋
電路數(shù): 1
轉(zhuǎn)換速率: 4100 V/µs
-3db帶寬: 1.58GHz
電流 - 輸入偏壓: 5µA
電壓 - 輸入偏移: 1000µV
電流 - 電源: 13.5mA
電流 - 輸出 / 通道: 100mA
電壓 - 電源,單路/雙路(±): 4.5 V ~ 12 V,±2.25 V ~ 6 V
工作溫度: -40°C ~ 125°C
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: 8-SOIC(0.154",3.90mm Width)裸露焊盤
供應(yīng)商設(shè)備封裝: 8-SOIC-EP
包裝: 帶卷 (TR)
Data Sheet
AD8000
Rev. B | Page 13 of 20
TEST CIRCUITS
AD8000
50
TRANSMISSION
LINE
200
RF
432
432
200
10
F
0.1
F
49.9
–VS
0.1
F
10
F
05321-028
50
TRANSMISSION
LINE
+VS
49.9
60.4
VIN
Figure 47. CMRR
49.9
TERMINATION
50
0.1
F
10
F
–VS
VP = VS + VIN
RF
432
RG
432
49.9
AD8000
49.9
50
TRANSMISSION
LINE
05321-029
50
TRANSMISSION
LINE
TERMINATION
50
Figure 48. Positive PSRR
49.9
TERMINATION
50
+VS
VN = –VS + VIN
RF
432
RG
432
49.9
AD8000
49.9
10
F
0.1
F
50
TRANSMISSION
LINE
05321-030
50
TRANSMISSION
LINE
TERMINATION
50
Figure 49. Negative PSRR
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MMS-140-02-L-SV CONN RCPT 2MM 40POS SGL VERT SMD
TA35-CBTBF100C0 CIRC BREAKER/BLACK ROCKER 2P 10A
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參數(shù)描述
AD8000YRDZ-REEL7 功能描述:IC OPAMP CF LN 100MA 8SOIC RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> Linear - Amplifiers - Instrumentation 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 系列:- 放大器類型:通用 電路數(shù):2 輸出類型:滿擺幅 轉(zhuǎn)換速率:1.8 V/µs 增益帶寬積:6.5MHz -3db帶寬:4.5MHz 電流 - 輸入偏壓:5nA 電壓 - 輸入偏移:100µV 電流 - 電源:65µA 電流 - 輸出 / 通道:35mA 電壓 - 電源,單路/雙路(±):1.8 V ~ 5.25 V,±0.9 V ~ 2.625 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:10-TFSOP,10-MSOP(0.118",3.00mm 寬) 供應(yīng)商設(shè)備封裝:10-MSOP 包裝:管件
AD8001 制造商:AD 制造商全稱:Analog Devices 功能描述:800 MHz, 50 mW Current Feedback Amplifier
AD8001_03 制造商:AD 制造商全稱:Analog Devices 功能描述:800 MHz, 50 mW Current Feedback Amplifier
AD800-10-TO5I 功能描述:光電二極管 800um active area APD chip w/ IR RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 產(chǎn)品:Photodiodes 反向電壓:10 V 最大暗電流:30 nA 峰值波長:565 nm 上升時間:3.1 us 下降時間:3 us 半強(qiáng)度角度:50 deg 封裝 / 箱體:TO-5
AD800-11-TO52S1.3 功能描述:光電二極管 800um active area APD chip w/ Blue RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 產(chǎn)品:Photodiodes 反向電壓:10 V 最大暗電流:30 nA 峰值波長:565 nm 上升時間:3.1 us 下降時間:3 us 半強(qiáng)度角度:50 deg 封裝 / 箱體:TO-5