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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | ACT108W-600D |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 晶閘管 |
| 英文描述： | AC Thyristor power switch |
| 中文描述： | 600 V, 0.8 A, TRIAC |
| 封裝： | PLASTIC, SC-73, 4 PIN |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 7/15頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 309K |
| 代理商： | ACT108W-600D |
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ACT108W-600D
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NXP B.V. 2010. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 02 — 27 December 2010
7 of 15
NXP Semiconductors
ACT108W-600D
AC Thyristor power switch
6.
Characteristics
Table 6.
Symbol
I
GT
Characteristics
Parameter
gate trigger current
Conditions
V
D
= 12 V; I
T
= 100 mA; LD- G-;
T
j
= 25 °C
V
D
= 12 V; I
T
= 100 mA; LD+ G-;
T
j
= 25 °C; see
Figure 10
V
D
= 12 V; I
G
= 12 mA; T
j
= 25 °C;
see
Figure 11
V
D
= 12 V; T
j
= 25 °C; see
Figure 12
I
T
= 1.1 A; see
Figure 13
V
D
= 12 V; I
T
= 100 mA; T
j
= 25 °C
V
D
= 12 V; I
T
= 100 mA; T
j
≤
125 °C
V
D
= 600 V; T
j
≤
25 °C
V
D
= 600 V; T
j
≤
125 °C
V
DM
= 402 V; T
j
= 125 °C; gate open
circuit; exponential waveform;
see
Figure 14
V
D
= 400 V; T
j
= 125 °C; I
T(RMS)
= 1 A;
dV
com
/dt = 15 V/μs; gate open circuit;
see
Figure 15
; see
Figure 16
Min
0.5
Typ
-
Max
5
Unit
mA
0.5
-
5
mA
I
L
latching current
-
-
25
mA
I
H
V
T
V
GT
holding current
on-state voltage
gate trigger voltage
-
-
-
0.15
-
-
300
-
-
-
-
-
-
-
20
1.3
0.9
-
2
0.2
-
mA
V
V
V
μA
mA
V/μs
I
D
off-state current
dV
D
/dt
rate of rise of off-state
voltage
dI
com
/dt
rate of change of
commutating current
0.15
-
-
A/ms
V
CL
clamping voltage
I
CL
= 100 μA; t
p
= 1 ms; T
j
≤
125 °C;
see
Figure 17
650
-
-
V
(1) LD+ G-
(2) LD- G-
Fig 10. Normalized gate trigger current as a function of
junction temperature
Fig 11. Normalized latching current as a function of
junction temperature
I
GT
I
GT(25
°
C)
T
j
(
°
C)
50
0
150
100
50
1
2
3
0
003aac809
(1)
(2)
(1)
(2)
T
j
(
°
C)
50
150
100
0
50
003aac811
1
2
3
0
I
L
I
L(25
°
C)
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PDF描述 |
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