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參數(shù)資料
| 型號： | AC164337 |
| 廠商： | Microchip Technology |
| 文件頁數(shù)： | 270/285頁 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MODULE SOCKET FOR PM3 40DIP |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝： | 1 |
| 模塊/板類型： | DIP 插座模塊 |
| 適用于相關(guān)產(chǎn)品： | MPLAB? PM3 |
| 產(chǎn)品目錄頁面： | 658 (CN2011-ZH PDF) |
| 相關(guān)產(chǎn)品： | PIC24FJ64GA002-E/SP-ND - IC PIC MCU FLASH 64K 28-SDIP PIC24FJ48GA002-E/SP-ND - IC PIC MCU FLASH 48K 28-SDIP PIC24FJ32GA002-E/SP-ND - IC PIC MCU FLASH 32K 28-SDIP PIC24FJ16GA002-E/SP-ND - IC PIC MCU FLASH 16K 28-SDIP DSPIC33FJ12MC202-E/SP-ND - IC DSPIC MCU/DSP 12K 28DIP DSPIC33FJ12GP202-E/SP-ND - IC DSPIC MCU/DSP 12K 28DIP PIC24F16KA101-I/P-ND - IC PIC MCU FLASH 16K 20-DIP PIC24HJ32GP202-E/SP-ND - IC PIC MCU FLASH 32K 28DIP PIC24HJ64GP502-E/SP-ND - IC PIC MCU FLASH 64K 28-DIP PIC24HJ64GP502-I/SP-ND - IC PIC MCU FLASH 64K 28DIP 更多... |
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2006 Microchip Technology Inc.
Preliminary
DS70178C-page 83
dsPIC30F1010/202X
7.6
Programming Operations
A complete programming sequence is necessary for
programming or erasing the internal Flash in RTSP
mode. A programming operation is nominally 2 msec in
duration and the processor stalls (waits) until the oper-
ation is finished. Setting the WR bit (NVMCON<15>)
starts the operation, and the WR bit is automatically
cleared when the operation is finished.
7.6.1
PROGRAMMING ALGORITHM FOR
PROGRAM FLASH
The user can erase and program one row of program
Flash memory at a time. The general process is:
1.
Read one row of program Flash (32 instruction
words) and store into data RAM as a data
“image”.
2.
Update the data image with the desired new
data.
3.
Erase program Flash row.
a)
Setup NVMCON register for multi-word,
program Flash, erase and set WREN bit.
b)
Write address of row to be erased into
NVMADRU/NVMDR.
c)
Write ‘55’ to NVMKEY.
d)
Write ‘AA’ to NVMKEY.
e)
Set the WR bit. This will begin erase cycle.
f)
CPU will stall for the duration of the erase
cycle.
g)
The WR bit is cleared when erase cycle
ends.
4.
Write 32 instruction words of data from data
RAM “image” into the program Flash write
latches.
5.
Program 32 instruction words into program
Flash.
a)
Setup NVMCON register for multi-word,
program Flash, program and set WREN bit.
b)
Write ‘55’ to NVMKEY.
c)
Write ‘AA’ to NVMKEY.
d)
Set the WR bit. This will begin program
cycle.
e)
CPU will stall for duration of the program
cycle.
f)
The WR bit is cleared by the hardware
when program cycle ends.
6.
Repeat steps 1 through 5 as needed to program
desired amount of program Flash memory.
7.6.2
ERASING A ROW OF PROGRAM
MEMORY
Example 7-1 shows a code sequence that can be used
to erase a row (32 instructions) of program memory.
EXAMPLE 7-1:
ERASING A ROW OF PROGRAM MEMORY
; Setup NVMCON for erase operation, multi word write
; program memory selected, and writes enabled
MOV
#0x4041,W0
;
MOV
W0,NVMCON
; Init NVMCON SFR
; Init pointer to row to be ERASED
MOV
#tblpage(PROG_ADDR),W0
;
MOV
W0,NVMADRU
; Initialize PM Page Boundary SFR
MOV
#tbloffset(PROG_ADDR),W0
; Intialize in-page EA<15:0> pointer
MOV
W0, NVMADR
; Intialize NVMADR SFR
DISI
#5
; Block all interrupts with priority <7
; for next 5 instructions
MOV
#0x55,W0
MOV
W0,NVMKEY
; Write the 0x55 key
MOV
#0xAA,W1
;
MOV
W1,NVMKEY
; Write the 0xAA key
BSET
NVMCON,#WR
; Start the erase sequence
NOP
; Insert two NOPs after the erase
NOP
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