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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | A62S7308BG-70S |
| 廠商： | AMIC Technology Corporation |
| 英文描述： | 128K X 8 BIT LOW VOLTAGE CMOS SRAM |
| 中文描述： | 128K的× 8位低電壓CMOS的SRAM |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 11/17頁(yè) |
| 文件大小： | 277K |
| 代理商： | A62S7308BG-70S |
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AC Test Conditions
A62S7308B Series
PRELIMINARY
(March, 2001, Version 0.2)
10
AMIC Technology, Inc.
Input Pulse Levels
0V to 3V
Input Rise and Fall Time
5 ns
Input and Output Timing Reference Levels
1.5V
Output Load
See Figures 1 and 2
30pF
* Including scope and jig.
* Including scope and jig.
C
L
TTL
5pF
C
L
TTL
Data Retention Characteristics
(T
A
= 0
°
C to + 70
°
C or -25
°
C to 85
°
C)
Figure 1. Output Load
Figure 2. Output Load for t
CLZ1
,
t
CLZ2
, t
OHZ
, t
OLZ
, t
CHZ1
,
t
CHZ2
, t
WHZ
, and t
OW
Symbol
Parameter
Min.
Max.
Unit
Conditions
V
DR
VCC for Data Retention
2.0
3.6
V
CE2
≤
0.2V,
or
CE1
≥
VCC - 0.2V,
CE2
≥
VCC - 0.2V
I
CCDR
Data Retention Current
S-Version
-
2*
μ
A
SI-Version
-
5**
VCC = 2.0V, CE2
≤
0.2V,
or
CE1
≥
VCC - 0.2V
CE2
≥
VCC - 0.2V
t
CDR
Chip Disable to Data Retention Time
0
-
ns
t
R
Operation Recovery Time
t
RC
-
ns
See Retention Waveform
* A62S7308B-55S/70S I
CCDR
: Max. 1
μ
A at T
A
= 0
°
C to + 40
°
C
** A62S7308B-55SI/70SI I
CCDR
: Max. 1
μ
A at T
A
= 0
°
C to + 40
°
C
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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參數(shù)描述 |
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