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參數(shù)資料
| 型號： | A43L8316 |
| 廠商： | AMIC Technology Corporation |
| 英文描述： | 128K X 16 Bit X 2 Banks Synchronous DRAM |
| 中文描述： | 128K的× 16位× 2銀行同步DRAM |
| 文件頁數(shù)： | 36/45頁 |
| 文件大?。?/td> | 1395K |
| 代理商： | A43L8316 |
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A43L8316
Preliminary (April, 2000, Version 1.0)
35
AMIC Technology, Inc.
High
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
CLOCK
CKE
CS
RAS
CAS
ADDR
BA
Row Active
(A-Bank)
: Don't care
RAa
A8/AP
CAa
RAa
WE
QAb1
QAb0
DBc0
DQM
QAb1
QAb0
DBc0
QAd0
DQ
(CL=2)
QAd0
DQ
(CL=3)
Write with
Auto Precharge
(B-Bank)
Write
(A-Bank)
RAc
Row Active
(A-Bank)
DAa0
QAd1
DAa0
QAd1
* Note 2
RBb
CAb
CBc
CAd
RAc
RBb
Row Active
(B-Bank)
Read with
Auto Precharge
(A-Bank)
Read
(A-Bank)
Precharge
(A-Bank)
Burst Read Single Bit Write Cycle @Burst Length=2, BRSW
* Note : 1. BRSW mode is enabled by setting BA “High” at MRS (Mode Register Set).
At the BRSW Mode, the burst length at write is fixed to “1” regardless of programed burst length.
2. When BRSW write command with auto precharge is executed, keep it in mind that tRAS should not be violated.
Auto precharge is executed at the burst-end cycle, so in the case of BRSW write command,
The next cycle starts the precharge.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| A43L8316V | 128K X 16 Bit X 2 Banks Synchronous DRAM |
| A43L8316V-7 | 128K X 16 Bit X 2 Banks Synchronous DRAM |
| A43L8316V-8 | 128K X 16 Bit X 2 Banks Synchronous DRAM |
| A43P26161 | 1M X 16 Bit X 4 Banks Low Power Synchronous DRAM |
| A43P26161G-75 | 1M X 16 Bit X 4 Banks Low Power Synchronous DRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| A43L8316A | 制造商:AMICC 制造商全稱:AMIC Technology 功能描述:128K X 16 Bit X 2 Banks Synchronous DRAM |
| A43L8316AV | 制造商:AMICC 制造商全稱:AMIC Technology 功能描述:128K X 16 Bit X 2 Banks Synchronous DRAM |
| A43L8316AV-5 | 制造商:AMICC 制造商全稱:AMIC Technology 功能描述:128K X 16 Bit X 2 Banks Synchronous DRAM |
| A43L8316AV-5.5 | 制造商:AMICC 制造商全稱:AMIC Technology 功能描述:128K X 16 Bit X 2 Banks Synchronous DRAM |
| A43L8316AV-6 | 制造商:AMICC 制造商全稱:AMIC Technology 功能描述:128K X 16 Bit X 2 Banks Synchronous DRAM |
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