參數(shù)資料
型號： A43L2616V-6VF
廠商： AMIC Technology Corporation
英文描述： 1M X 16 Bit X 4 Banks Synchronous DRAM
中文描述： 100萬× 16位× 4個(gè)銀行同步DRAM
文件頁數(shù)： 27/41頁
文件大?。?/td> 1053K
代理商： A43L2616V-6VF
A43L2616
(September, 2004, Version 3.1)
26
AMIC Technology, Corp.
Page Read Cycle at Different Bank @Burst Length = 4
Read
(C-Bank)
Row Active
(D-Bank)
Read
(B-Bank)
Read
(A-Bank)
High
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
CLOCK
CKE
CS
RAS
CAS
ADDR
BS1
Row Active
(A-Bank)
Row Active
(B-Bank)
: Don't care
RAa
RBb
A10/AP
CBb
Row Active
(C-Bank)
*Note 1
*Note 2
CAa
RAa
WE
DQM
QBb2
QBb1
QAa0
QAa1
QAa2
QBb0
QCc0
QCc1
QCc2
QDd0
QDd1
QDd2
QBb2
QBb1
QAa0
QAa1
QAa2
QBb0
QCc0
QCc1
QCc2
QDd0
QDd1
QDd2
Read
(D-Bank)
Precharge
(C-Bank)
Precharge
(D-Bank)
DQ
(CL=2)
DQ
(CL=3)
BS0
RBb
RCc
RDd
Precharge
(A-Bank)
Precharge
(B-Bank)
RCc
CCc
RDd
CDd
* Note : 1.
CS
can be don’t care when
RAS
,
CAS
and
WE
are high at the clock high going edge.
2. To interrupt a burst read by row precharge, both the read ad the precharge banks must be the same.
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PDF描述
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