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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | A43L2616V-6V |
| 廠商： | AMIC Technology Corporation |
| 英文描述： | 1M X 16 Bit X 4 Banks Synchronous DRAM |
| 中文描述： | 100萬(wàn)× 16位× 4個(gè)銀行同步DRAM |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 8/41頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 1053K |
| 代理商： | A43L2616V-6V |
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A43L2616
(September, 2004, Version 3.1)
7
AMIC Technology, Corp.
Operating AC Parameter
(AC operating conditions unless otherwise noted)
Version
Symbol
Parameter
CAS Latency
-5.5
-6
-7
Unit
Note
t
RRD(min)
Row active to row active delay
11
12
14
ns
1
t
RCD(min)
RAS to
CAS
delay
16.5
18
20
ns
1
t
RP(min)
Row precharge time
15
18
20
ns
1
t
RAS(min)
38.5
42
42
ns
1
t
RAS(max)
Row active time
100
μ
s
t
RC(min)
Row cycle time
55
60
63
ns
1
t
CDL(min)
Last data in new col. Address delay
5.5
6
7
ns
2
t
RDL(min)
Last data in row precharge
11
12
14
ns
2
t
BDL(min)
Last data in to burst stop
5.5
6
7
ns
2
t
CCD(min)
Col. Address to col. Address delay
3
5.5
6
7
ns
Note:
1. The minimum number of clock cycles is determined by dividing the minimum time required with clock cycle time and
then rounding off to the next higher integer.
2. Minimum delay is required to complete write.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| A43L2616V-6VF | 1M X 16 Bit X 4 Banks Synchronous DRAM |
| A43L2616V-7 | 1M X 16 Bit X 4 Banks Synchronous DRAM |
| A43L2616V-7F | 1M X 16 Bit X 4 Banks Synchronous DRAM |
| A43L2616V-7V | 1M X 16 Bit X 4 Banks Synchronous DRAM |
| A43L2616V-7VF | 1M X 16 Bit X 4 Banks Synchronous DRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| A43L2616V-7F | 制造商:AMICC 制造商全稱:AMIC Technology 功能描述:1M X 16 Bit X 4 Banks Synchronous DRAM |
| A43L2616V-7V | 制造商:AMICC 制造商全稱:AMIC Technology 功能描述:1M X 16 Bit X 4 Banks Synchronous DRAM |
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