APTGV15H120T3G

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數(shù)量
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封裝
批號
價格
說明
操作

APTGV15H120T3G
林沃田信息技術(shù)(深圳)有限公司
林沃田信息技術(shù)(深圳)有限公司
聯(lián)系人：岳先生田小姐
電話：0755-8278116013760181591
地址：深圳市福田區(qū)福田街道福南社區(qū)深南中路 3037號南光捷佳大廈2906
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
60510
Microsemi Corporation
IGBT NPT BST CHOP FU
22+
-

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1

您是不是要找： APTGV25H120BG APTGV25H120T3G APTGV30H60T3G APTGV50H120BTPG APTGV50H120T3G APTGV50H60BG APTGV50H60T3G APTGV75H60T3G APTH003A0X4-SRZ

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功能描述
IGBT NPT BST CHOP FULL BRDG SP3
RoHS
是
類別
半導體模塊 >> IGBT
系列
-
標準包裝
10
系列
GenX3™
IGBT 類型
PT
配置
單一
電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）
600V
Vge, Ic時的最大Vce（開）
1.4V @ 15V，100A
電流 - 集電極 (Ic)（最大）
430A
電流 - 集電極截止（最大）
100µA
Vce 時的輸入電容 (Cies)
31nF @ 25V
功率 - 最大
1000W
輸入
標準
NTC 熱敏電阻
無
安裝類型
底座安裝
封裝/外殼
SOT-227-4，miniBLOC
供應商設備封裝
SOT-227B

APTGV15H120T3G 技術(shù)參數(shù)

APTGV100H60T3G 功能描述:IGBT Module NPT, Trench Field Stop Full Bridge Inverter 600V 150A 340W Chassis Mount SP3 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):Not For New Designs IGBT 類型:NPT，溝槽型場截止配置:全橋反相器電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:150A 功率 - 最大值:340W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:1.9V @ 15V，100A 電流 - 集電極截止（最大值）:250μA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:6.1nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:是安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP3 供應商器件封裝:SP3 標準包裝:1 APTGV100H60BTPG 功能描述:IGBT Module NPT, Trench Field Stop Boost Chopper, Full Bridge 600V 150A 340W Chassis Mount SP6-P 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):Not For New Designs IGBT 類型:NPT，溝槽型場截止配置:升壓斬波器，全橋電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:150A 功率 - 最大值:340W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:1.9V @ 15V，100A 電流 - 集電極截止（最大值）:250μA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:6.1nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:是安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP6 供應商器件封裝:SP6-P 標準包裝:1 APTGTQ50TA65T3G 功能描述:POWER MODULE - IGBT 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):在售 IGBT 類型:- 配置:三相反相器電壓 - 集射極擊穿（最大值）:650V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:50A 功率 - 最大值:125W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.2V @ 15V，50A 電流 - 集電極截止（最大值）:50μA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:3nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:是工作溫度:-40°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:模塊供應商器件封裝:SP3F 標準包裝:1 APTGTQ200SK65T3G 功能描述:POWER MODULE - IGBT 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):在售 IGBT 類型:- 配置:降壓斬波器電壓 - 集射極擊穿（最大值）:650V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:200A 功率 - 最大值:483W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.2V @ 15V，200A 電流 - 集電極截止（最大值）:200μA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:12nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:是工作溫度:-40°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:模塊供應商器件封裝:SP3F 標準包裝:1 APTGTQ200DA65T3G 功能描述:POWER MODULE - IGBT 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):在售 IGBT 類型:- 配置:升壓斬波器電壓 - 集射極擊穿（最大值）:650V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:200A 功率 - 最大值:483W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.2V @ 15V，200A 電流 - 集電極截止（最大值）:200μA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:12nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:是工作溫度:-40°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:模塊供應商器件封裝:SP3F 標準包裝:1 APTH003A0X-SR APTH003A0X-SRZ APTH006A0X4-SR APTH006A0X4-SRZ APTH006A0X-SR APTH006A0X-SRZ APTH012A0X3-SRZ APTH012A0X43-SRZ APTH020A0X3-SRZ APTH020A0X43-SRZ APTJC120AM13VCT1AG APTJC120AM25VCT1AG APTK2012RWC/Z-F01 APTL3216CGCK APTL3216PBC/A APTL3216QBC/D APTL3216SECK APTL3216SURCK