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APT4525AN

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  • APT4525AN
    APT4525AN

    APT4525AN

  • 北京元坤偉業(yè)科技有限公司
    北京元坤偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1008室

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 3000

  • ADPOW

  • 標(biāo)準(zhǔn)封裝

  • 13+

  • -
  • 全新原裝100%正品保證質(zhì)量

  • 1/1頁 40條/頁 共3條 
  • 1
APT4525AN PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 制造商
  • ADPOW
  • 制造商全稱
  • Advanced Power Technology
  • 功能描述
  • N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS
APT4525AN 技術(shù)參數(shù)
  • APT44GA60BD30C 功能描述:IGBT PT 600V 78A 337W Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包裝:管件 零件狀態(tài):過期 IGBT 類型:PT 電壓 - 集射極擊穿(最大值):600V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):78A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):130A 不同?Vge,Ic 時的?Vce(on):1.6V @ 15V,26A 功率 - 最大值:337W 開關(guān)能量:409μJ(開),450μJ(關(guān)) 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:128nC 25°C 時 Td(開/關(guān))值:16ns/102ns 測試條件:400V,26A,4.7 歐姆,15V 反向恢復(fù)時間(trr):- 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-247 [B] 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 APT44GA60BD30 功能描述:IGBT PT 600V 78A 337W Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:PT 電壓 - 集射極擊穿(最大值):600V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):78A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):130A 不同?Vge,Ic 時的?Vce(on):2.5V @ 15V,26A 功率 - 最大值:337W 開關(guān)能量:409μJ(開),258μJ(關(guān)) 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:128nC 25°C 時 Td(開/關(guān))值:16ns/84ns 測試條件:400V,26A,4.7 歐姆,15V 反向恢復(fù)時間(trr):- 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-247 [B] 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT44GA60B 功能描述:IGBT PT 600V 78A 337W Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:PT 電壓 - 集射極擊穿(最大值):600V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):78A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):130A 不同?Vge,Ic 時的?Vce(on):2.5V @ 15V,26A 功率 - 最大值:337W 開關(guān)能量:409μJ(開),258μJ(關(guān)) 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:128nC 25°C 時 Td(開/關(guān))值:16ns/84ns 測試條件:400V,26A,4.7 歐姆,15V 反向恢復(fù)時間(trr):- 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-247 [B] 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT44F80L 功能描述:MOSFET N-CH 800V 44A TO-264 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):800V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):47A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):240 毫歐 @ 24A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 2.5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):305nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):9330pF @ 25V 功率 - 最大值:1135W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-264-3,TO-264AA 供應(yīng)商器件封裝:TO-264 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT44F80B2 功能描述:MOSFET N-CH 800V 47A T-MAX 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):800V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):47A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):210 毫歐 @ 24A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 2.5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):305nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):9330pF @ 25V 功率 - 最大值:1135W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 變式 供應(yīng)商器件封裝:T-MAX? [B2] 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT46GA90JD40 APT47F60J APT47GA60JD40 APT47M60J APT47N60BC3G APT47N60SC3G APT47N65BC3G APT48M80B2 APT48M80L APT4F120K APT4M120K APT5010B2FLLG APT5010B2LLG APT5010JLLU2 APT5010JLLU3 APT5010JVRU2 APT5010JVRU3 APT5010LFLLG
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