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APT25GT120BRDLG

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  • APT25GT120BRDLG
    APT25GT120BRDLG

    APT25GT120BRDLG

  • 深圳市一線半導(dǎo)體有限公司
    深圳市一線半導(dǎo)體有限公司

    聯(lián)系人:謝小姐/鐘先生/陳先生/陳小姐

    電話:0755-88608801多線17727932378

    地址:深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北華強(qiáng)花園B9F

  • 9600

  • TO-247CS

  • APT(MICROSEMI)

  • 17+

  • -
  • 原裝正品。優(yōu)勢(shì)供應(yīng)

  • 1/1頁(yè) 40條/頁(yè) 共8條 
  • 1
APT25GT120BRDLG PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • IGBT 1200V 54A 347W TO247
  • RoHS
  • 類(lèi)別
  • 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路
  • 系列
  • Thunderbolt IGBT®
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝
  • 30
  • 系列
  • GenX3™
  • IGBT 類(lèi)型
  • PT
  • 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大)
  • 1200V
  • Vge, Ic時(shí)的最大Vce(開(kāi))
  • 3V @ 15V,100A
  • 電流 - 集電極 (Ic)(最大)
  • 200A
  • 功率 - 最大
  • 830W
  • 輸入類(lèi)型
  • 標(biāo)準(zhǔn)
  • 安裝類(lèi)型
  • 通孔
  • 封裝/外殼
  • TO-247-3
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝
  • PLUS247?-3
  • 包裝
  • 管件
APT25GT120BRDLG 技術(shù)參數(shù)
  • APT25GR120SSCD10 功能描述:IGBT NPT 1200V 75A 521W Surface Mount D3Pak 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 IGBT 類(lèi)型:NPT 電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):75A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):100A 不同?Vge,Ic 時(shí)的?Vce(on):3.2V @ 15V,25A 功率 - 最大值:521W 開(kāi)關(guān)能量:434μJ(開(kāi)),466μJ(關(guān)) 輸入類(lèi)型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:203nC 25°C 時(shí) Td(開(kāi)/關(guān))值:16ns/122ns 測(cè)試條件:600V,25A,4.3 歐姆,15V 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):- 封裝/外殼:TO-268-3,D3Pak(2 引線+接片),TO-268AA 安裝類(lèi)型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:D3Pak 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT25GR120SD15 功能描述:IGBT NPT 1200V 75A 521W Surface Mount D3Pak 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 IGBT 類(lèi)型:NPT 電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):75A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):100A 不同?Vge,Ic 時(shí)的?Vce(on):3.2V @ 15V,25A 功率 - 最大值:521W 開(kāi)關(guān)能量:742μJ(開(kāi)),427μJ(關(guān)) 輸入類(lèi)型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:203nC 25°C 時(shí) Td(開(kāi)/關(guān))值:16ns/122ns 測(cè)試條件:600V,25A,4.3 歐姆,15V 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):- 封裝/外殼:TO-268-3,D3Pak(2 引線+接片),TO-268AA 安裝類(lèi)型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:D3Pak 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT25GR120S 功能描述:IGBT NPT 1200V 75A 521W Surface Mount D3Pak 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 IGBT 類(lèi)型:NPT 電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):75A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):100A 不同?Vge,Ic 時(shí)的?Vce(on):3.2V @ 15V,25A 功率 - 最大值:521W 開(kāi)關(guān)能量:742μJ(開(kāi)),427μJ(關(guān)) 輸入類(lèi)型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:203nC 25°C 時(shí) Td(開(kāi)/關(guān))值:16ns/122ns 測(cè)試條件:600V,25A,4.3 歐姆,15V 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):- 封裝/外殼:TO-268-3,D3Pak(2 引線+接片),TO-268AA 安裝類(lèi)型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:D3Pak 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT25GR120BSCD10 功能描述:IGBT NPT 1200V 75A 521W Through Hole TO-247 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 IGBT 類(lèi)型:NPT 電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):75A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):100A 不同?Vge,Ic 時(shí)的?Vce(on):3.2V @ 15V,25A 功率 - 最大值:521W 開(kāi)關(guān)能量:434μJ(開(kāi)),466μJ(關(guān)) 輸入類(lèi)型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:203nC 25°C 時(shí) Td(開(kāi)/關(guān))值:16ns/122ns 測(cè)試條件:600V,25A,4.3 歐姆,15V 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):- 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類(lèi)型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-247 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT25GR120BD15 功能描述:IGBT NPT 1200V 75A 521W Through Hole TO-247 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 IGBT 類(lèi)型:NPT 電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):75A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):100A 不同?Vge,Ic 時(shí)的?Vce(on):3.2V @ 15V,25A 功率 - 最大值:521W 開(kāi)關(guān)能量:742μJ(開(kāi)),427μJ(關(guān)) 輸入類(lèi)型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:203nC 25°C 時(shí) Td(開(kāi)/關(guān))值:16ns/122ns 測(cè)試條件:600V,25A,4.3 歐姆,15V 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):- 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類(lèi)型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-247 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT27GA90BD15 APT27HZTR-G1 APT27ZTR-G1 APT28F60B APT28F60S APT28M120B2 APT28M120L APT29F100B2 APT29F100L APT29F80J APT2X100D100J APT2X100D120J APT2X100D20J APT2X100D30J APT2X100D40J APT2X100D60J APT2X100DQ100J APT2X100DQ120J
配單專(zhuān)家

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