APT25SM120S

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價格
說明
操作

APT25SM120S
無錫固電半導體股份有限公司
無錫固電半導體股份有限公司
聯(lián)系人：張小姐
電話：15961889159
地址：江蘇省無錫市新區(qū)新梅路68號
資質：營業(yè)執(zhí)照
8000
isc,iscsemi
TO-268
2024+
-
國產品牌，可替代原裝

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1

您是不是要找： APT26F120B2 APT26F120L APT26M100JCU2 APT26M100JCU3 APT27GA90BD15 APT27HZTR-G1 APT27ZTR-G1 APT28F60B APT28F60S

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功能描述
POWER MOSFET - SIC
制造商
microsemi corporation
系列
-
包裝
*
零件狀態(tài)
有效
FET 類型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能
碳化硅（SiC）
漏源極電壓（Vdss）
1200V（1.2kV）
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）
25A（Tc）
不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）
175 毫歐 @ 10A，20V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
2.5V @ 1mA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）
72nC @ 20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）
-
功率 - 最大值
175W
工作溫度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型
*
封裝/外殼
*
供應商器件封裝
*
標準包裝
1

APT25SM120S 技術參數

APT25SM120B 功能描述:POWER MOSFET - SIC 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:碳化硅（SiC）漏源極電壓（Vdss）:1200V（1.2kV）電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:25A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:175 毫歐 @ 10A，20V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:72nC @ 20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:- 功率 - 最大值:175W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-247-3 供應商器件封裝:TO-247 標準包裝:1 APT25M100J 功能描述:MOSFET N-CH 1000V 25A SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:1000V（1kV）電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:25A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:330 毫歐 @ 18A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:305nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:9835pF @ 25V 功率 - 最大值:545W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商器件封裝:ISOTOP? 標準包裝:1 APT25GT120BRG 功能描述:IGBT NPT 1200V 54A 347W Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:Thunderbolt IGBT? 包裝:管件零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:NPT 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:54A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):75A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:3.7V @ 15V，25A 功率 - 最大值:347W 開關能量:930μJ（開），720μJ（關）輸入類型:標準柵極電荷:170nC 25°C 時 Td（開/關）值:14ns/150ns 測試條件:800V，25A，5 歐姆，15V 反向恢復時間（trr）:- 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類型:通孔供應商器件封裝:TO-247 [B] 標準包裝:1 APT25GT120BRDQ2G 功能描述:IGBT NPT 1200V 54A 347W Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:Thunderbolt IGBT? 包裝:管件零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:NPT 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:54A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):75A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:3.7V @ 15V，25A 功率 - 最大值:347W 開關能量:930μJ（開），720μJ（關）輸入類型:標準柵極電荷:170nC 25°C 時 Td（開/關）值:14ns/150ns 測試條件:800V，25A，5 歐姆，15V 反向恢復時間（trr）:- 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類型:通孔供應商器件封裝:TO-247 [B] 標準包裝:1 APT25GR120SSCD10 功能描述:IGBT NPT 1200V 75A 521W Surface Mount D3Pak 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:NPT 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:75A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):100A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:3.2V @ 15V，25A 功率 - 最大值:521W 開關能量:434μJ（開），466μJ（關）輸入類型:標準柵極電荷:203nC 25°C 時 Td（開/關）值:16ns/122ns 測試條件:600V，25A，4.3 歐姆，15V 反向恢復時間（trr）:- 封裝/外殼:TO-268-3，D3Pak（2 引線+接片），TO-268AA 安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:D3Pak 標準包裝:1 APT28M120B2 APT28M120L APT29F100B2 APT29F100L APT29F80J APT2X100D100J APT2X100D120J APT2X100D20J APT2X100D30J APT2X100D40J APT2X100D60J APT2X100DQ100J APT2X100DQ120J APT2X100DQ60J APT2X101D100J APT2X101D120J APT2X101D20J APT2X101D30J