AOT5N50_001

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型號(hào)
供應(yīng)商
數(shù)量
廠商
封裝
批號(hào)
價(jià)格
說明
操作

AOT5N50_001
深圳市深美諾電子科技有限公司
深圳市深美諾電子科技有限公司
聯(lián)系人：李燕兵
電話：82525918
地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路上步工業(yè)區(qū)101棟5樓517-532室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
6000
AOS
TO-220
22+
-
全新原裝現(xiàn)貨供應(yīng)

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功能描述
MOSFET N-CH 500V 5A TO-220
制造商
alpha & omega semiconductor inc.
系列
-
包裝
管件
零件狀態(tài)
過期
FET 類型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能
標(biāo)準(zhǔn)
漏源極電壓（Vdss）
500V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）
5A（Tc）
不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）
1.5 歐姆 @ 2.5A，10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）
4.5V @ 250μA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）
19nC @ 10V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）
620pF @ 25V
功率 - 最大值
104W
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-220-3
供應(yīng)商器件封裝
TO-220-3
標(biāo)準(zhǔn)包裝
1

AOT5N50_001 技術(shù)參數(shù)

AOT5N50 功能描述:MOSFET N-CH 500V 5A TO-220 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:500V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:5A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:1.5 歐姆 @ 2.5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:19nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:620pF @ 25V 功率 - 最大值:104W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 AOT5N100 功能描述:MOSFET N-CH 1000V 4A TO220 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:1000V（1kV）電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:4A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:4.2 歐姆 @ 2.5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:23nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:1150pF @ 25V 功率 - 最大值:195W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 AOT5B65M1 功能描述:IGBT 650V 5A TO220 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:Alpha IGBT?? 包裝:管件零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:- 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:650V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:10A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):15A 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:1.98V @ 15V，5A 功率 - 最大值:83W 開關(guān)能量:80μJ（開），70μJ（關(guān)）輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:14nC 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值:8.5ns/106ns 測(cè)試條件:400V，5A，60 歐姆，15V 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:195ns 封裝/外殼:TO-220-3 安裝類型:通孔供應(yīng)商器件封裝:TO-220 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 AOT5B60D 功能描述:IGBT 600V 10A 82.4W TO220 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:Alpha IGBT?? 包裝:管件零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:- 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:23A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):20A 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:1.8V @ 15V， 5A 功率 - 最大值:82.4W 開關(guān)能量:140μJ（開），40μJ（關(guān)）輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:9.4nC 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值:12ns/83ns 測(cè)試條件:400V，5A，60 歐姆，15V 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:98ns 封裝/外殼:TO-220-3 安裝類型:通孔供應(yīng)商器件封裝:TO-220 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 AOT502 功能描述:MOSFET N-CH 33V 9A TO220 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:33V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:9A（Ta），60A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:11.5 毫歐 @ 30A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.7V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:28nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:1450pF @ 15V 功率 - 最大值:1.9W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 AOT8N65_001 AOT8N80L AOT8N80L_001 AOT9N40L AOT9N50 AOT9N70 AOTF10B60D AOTF10B60D2 AOTF10B65M1 AOTF10B65M2 AOTF10N50FD AOTF10N50FD_001 AOTF10N60 AOTF10N60_003 AOTF10N60_006 AOTF10N60L_002 AOTF10N65 AOTF10N90