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AOTF10N50FD_001

配單專家企業(yè)名單
  • 型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號(hào)
  • 價(jià)格
  • 說(shuō)明
  • 操作
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  • 功能描述
  • MOSFET N-CH 500V 10A TO220F
  • 制造商
  • alpha & omega semiconductor inc.
  • 系列
  • -
  • 包裝
  • 管件
  • 零件狀態(tài)
  • 過(guò)期
  • FET 類型
  • MOSFET N 通道，金屬氧化物
  • FET 功能
  • 標(biāo)準(zhǔn)
  • 漏源極電壓（Vdss）
  • 500V
  • 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）
  • 10A（Tc）
  • 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）
  • 750 毫歐 @ 5A，10V
  • 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）
  • 4.2V @ 250μA
  • 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）
  • 35nC @ 10V
  • 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）
  • 1240pF @ 25V
  • 功率 - 最大值
  • 50W
  • 工作溫度
  • -55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安裝類型
  • 通孔
  • 封裝/外殼
  • TO-220-3 整包
  • 供應(yīng)商器件封裝
  • TO-220-3F
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝
  • 1
AOTF10N50FD_001 技術(shù)參數(shù)
  • AOTF10N50FD 功能描述:MOSFET N-CH 500V 10A TO220F 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:500V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:10A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:750 毫歐 @ 5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4.2V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:35nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:1240pF @ 25V 功率 - 最大值:50W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商器件封裝:TO-220-3F 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 AOTF10B65M2 功能描述:IGBT 650V 10A TO220 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:Alpha IGBT?? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:- 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:650V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:20A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):30A 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:2V @ 15V，10A 功率 - 最大值:30W 開(kāi)關(guān)能量:180μJ（開(kāi)），130μJ（關(guān)） 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:24nC 25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值:12ns/91ns 測(cè)試條件:400V，10A，30 歐姆，15V 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:262ns 封裝/外殼:TO-220-3 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-220 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 AOTF10B65M1 功能描述:IGBT 650V 10A TO220 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:Alpha IGBT?? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:- 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:650V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:20A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):30A 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:2V @ 15V，10A 功率 - 最大值:30W 開(kāi)關(guān)能量:180μJ（開(kāi)），130μJ（關(guān)） 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:24nC 25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值:12ns/91ns 測(cè)試條件:400V，10A，30 歐姆，15V 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:263ns 封裝/外殼:TO-220-3 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-220 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 AOTF10B60D2 功能描述:IGBT 600V 10A TO-220F 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:Alpha IGBT?? 零件狀態(tài):在售 IGBT 類型:- 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:23A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):20A 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:1.8V @ 15V， 5A 功率 - 最大值:31.2W 開(kāi)關(guān)能量:140μJ（開(kāi)），40μJ（關(guān)） 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:9.4nC 25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值:12ns/83ns 測(cè)試條件:400V，5A，60 歐姆，15V 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:98ns 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商器件封裝:TO-220F 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 AOTF10B60D 功能描述:IGBT 600V 20A 42W Through Hole TO-220-3F 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:Alpha IGBT?? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:- 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:20A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):40A 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:1.8V @ 15V，10A 功率 - 最大值:42W 開(kāi)關(guān)能量:260μJ（開(kāi)），70μJ（關(guān)） 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:17.4nC 25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值:10ns/72ns 測(cè)試條件:400V，10A，30 歐姆，15V 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:105ns 封裝/外殼:TO-220-3 整包 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-220-3F 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 AOTF10T60P AOTF10T60PL AOTF11C60 AOTF11C60_001 AOTF11C60P AOTF11C60P_001 AOTF11C60PL AOTF11N60L AOTF11N62 AOTF11N62L AOTF11N70 AOTF11S60 AOTF11S60L AOTF11S65L AOTF12N30 AOTF12N50 AOTF12N60 AOTF12N60FD
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