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AOP802

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  • AOP802
    AOP802

    AOP802

  • 深圳市百域芯科技有限公司
    深圳市百域芯科技有限公司

    聯(lián)系人：許先生

    電話(huà)：18898761413

    地址：華強(qiáng)北都會(huì)軒4507

    資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 30000

  • AOS/萬(wàn)代

  • DIP-8

  • 24+

  • -

  • 原裝正品，可含稅供應(yīng)。品質(zhì)保障

  • AOP802
    AOP802

    AOP802

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    聯(lián)系人：劉先生

    電話(huà)：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號(hào)和盛嘉業(yè)大廈10層1009室

    資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • ALPHA

  • 市場(chǎng)最低面議

  • 09/10+

  • -

  • 假一罰十，百分百原裝正品

  • 1/1頁(yè) 40條/頁(yè) 共11條 
  • 1
AOP802 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 制造商
  • AOSMD
  • 制造商全稱(chēng)
  • Alpha & Omega Semiconductors
  • 功能描述
  • Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
AOP802 技術(shù)參數(shù)
  • AOP610 功能描述:MOSFET N/P-CH 30V 8DIP 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類(lèi)型:N 和 P 溝道 FET 功能:邏輯電平門(mén) 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:- 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:24 毫歐 @ 7.7A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:15nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:630pF @ 15V 功率 - 最大值:2.3W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:8-DIP（0.300"，7.62mm） 供應(yīng)商器件封裝:8-PDIP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5,000 AOP609 功能描述:MOSFET N/P-CH 60V 8DIP 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類(lèi)型:N 和 P 溝道 FET 功能:邏輯電平門(mén) 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:- 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:60 毫歐 @ 4.7A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:7nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:570pF @ 30V 功率 - 最大值:2.5W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:8-DIP（0.300"，7.62mm） 供應(yīng)商器件封裝:8-PDIP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5,000 AOP607 功能描述:MOSFET N/P-CH 60V 8DIP 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類(lèi)型:N 和 P 溝道 FET 功能:邏輯電平門(mén) 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:- 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:56 毫歐 @ 4.7A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:10.5nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:540pF @ 30V 功率 - 最大值:2.5W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:8-DIP（0.300"，7.62mm） 供應(yīng)商器件封裝:8-PDIP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5,000 AOP605 功能描述:MOSFET N/P-CH 30V 8DIP 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類(lèi)型:N 和 P 溝道 FET 功能:邏輯電平門(mén) 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:- 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:28 毫歐 @ 7.5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:16.6nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:820pF @ 15V 功率 - 最大值:2.5W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:8-DIP（0.300"，7.62mm） 供應(yīng)商器件封裝:8-PDIP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5,000 AONX36372 AORN2492AT5 AORN25-1AT5 AORN4991AT5 AORN4992AT5 AORN50-1AT5 AORN5-1AT5 AOSD62666E AOT10B60D AOT10B65M1 AOT10B65M2 AOT10N60 AOT10N60_001 AOT10N60L AOT10N65 AOT10T60L AOT10T60P AOT10T60PL AOT1100L
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