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AON6276

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  • AON6276
    AON6276

    AON6276

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號)

    地址:廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 8650000

  • AOS

  • DFN5x6

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  • -
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  • 1/1頁 40條/頁 共4條 
  • 1
AON6276 PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 功能描述
  • MOSFET N-CHANNEL 80V 100A 8DFN
  • 制造商
  • alpha & omega semiconductor inc.
  • 系列
  • AlphaSGT?
  • 零件狀態(tài)
  • 在售
  • FET 類型
  • N 溝道
  • 技術(shù)
  • MOSFET(金屬氧化物)
  • 漏源電壓(Vdss)
  • 80V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時)
  • 100A(Tc)
  • 驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On)
  • 6V,10V
  • 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值)
  • 3.2V @ 250μA
  • 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值)
  • 100nC @ 10V
  • Vgs(最大值)
  • ±20V
  • 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值)
  • 4940pF @ 40V
  • FET 功能
  • -
  • 功率耗散(最大值)
  • 215W(Tc)
  • 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值)
  • 2.6 毫歐 @ 20A,10V
  • 工作溫度
  • -55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安裝類型
  • 表面貼裝
  • 供應商器件封裝
  • 8-DFN(5x6)
  • 封裝/外殼
  • 8-PowerSMD,扁平引線
  • 標準包裝
  • 3,000
AON6276 技術(shù)參數(shù)
  • AON6270 功能描述:MOSFET N-CH 75V 85A DFN5X6 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):75V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):31.5A(Ta),85A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):3.9 毫歐 @ 20A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3.2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):85nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):4100pF @ 37.5V 功率 - 最大值:7.3W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerSMD,扁平引線 供應商器件封裝:8-DFN(5x6) 標準包裝:1 AON6268 功能描述:MOSFET N-CH 60V 44V 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:AlphaSGT? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):44A(Tc) 驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.3V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):65nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):2520pF @ 30V FET 功能:- 功率耗散(最大值):56W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):4.7 毫歐 @ 20A,10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TA) 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:8-DFN(5x6) 封裝/外殼:8-PowerSMD,扁平引線 標準包裝:1 AON6266E 功能描述:MOSFET N-CHANNEL 60V 24A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:AlphaSGT? 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):24A(Tc) 驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):10nC @ 4.5V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):755pF @ 30V FET 功能:- 功率耗散(最大值):26W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):13.2 毫歐 @ 20A,10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:8-DFN(5x6) 封裝/外殼:8-PowerVDFN 標準包裝:3,000 AON6266_101 功能描述:MOSFET N-CHANNEL 60V 30A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):30A(Tc) 驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):15nC @ 4.5V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):1340pF @ 30V FET 功能:- 功率耗散(最大值):38W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):15 毫歐 @ 20A,10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:8-DFN(5x6) 封裝/外殼:8-PowerVDFN 標準包裝:3,000 AON6266 功能描述:MOSFET N-CH 60V 13A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:AlphaMOS 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):13A(Ta),30A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):15 毫歐 @ 20A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):30nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1340pF @ 30V 功率 - 最大值:5W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerSMD,扁平引線 供應商器件封裝:8-DFN(5x6) 標準包裝:1 AON6312 AON6314 AON6354 AON6358 AON6360 AON6362 AON6366E AON6368 AON6368P AON6370 AON6370_001 AON6370_002 AON6370P AON6372 AON6380 AON6382 AON6384 AON6400
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