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AOB412L

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  • 型號
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  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • AOB412L
    AOB412L

    AOB412L

  • 深圳市華盛錦科技有限公司
    深圳市華盛錦科技有限公司

    聯系人：張先生/雷小姐

    電話：0755-8279802015814679726（承諾只售原裝正品，終端BOM配單一站式服務）

    地址：華強街道賽格廣場55樓5566室

    資質：營業(yè)執(zhí)照

  • 15000

  • AOS/萬代

  • TO-263

  • 21+原廠授權

  • -

  • ★原廠授權★價超代理★

  • AOB412L
    AOB412L

    AOB412L

  • 深圳市華盛錦科技有限公司
    深圳市華盛錦科技有限公司

    聯系人：雷小姐

    電話：0755-2391507123915070（承諾只售原裝正品，終端BOM配單一站式服務）

    地址：華強街道賽格廣場55樓5566室

    資質：營業(yè)執(zhí)照

  • 65000

  • AOS/萬代

  • TO-263

  • 1201+PB

  • -

  • ★★★真實庫存，假一賠十，原廠授權★★★

  • AOB412L
    AOB412L

    AOB412L

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯系人：唐先生

    電話：0755-8322569219129381337（微信同號）

    地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 865000

  • ALPHA

  • TO-263

  • 最新批號

  • -

  • 一級代理.原裝特價現貨！

  • 1/1頁 40條/頁 共31條 
  • 1
AOB412L PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準
  • 功能描述
  • MOSFET N-CH 100V 8.2A TO263
  • RoHS
  • 是
  • 類別
  • 分離式半導體產品 >> FET - 單
  • 系列
  • SDMOS™
  • 標準包裝
  • 1,000
  • 系列
  • MESH OVERLAY™
  • FET 型
  • MOSFET N 通道，金屬氧化物
  • FET 特點
  • 邏輯電平門
  • 漏極至源極電壓(Vdss)
  • 200V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
  • 18A
  • 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
  • 180 毫歐 @ 9A，10V
  • Id 時的 Vgs(th)（最大）
  • 4V @ 250µA
  • 閘電荷(Qg) @ Vgs
  • 72nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds
  • 1560pF @ 25V
  • 功率 - 最大
  • 40W
  • 安裝類型
  • 通孔
  • 封裝/外殼
  • TO-220-3 整包
  • 供應商設備封裝
  • TO-220FP
  • 包裝
  • 管件
AOB412L 技術參數
  • AOB411L_001 功能描述:MOSFET P-CH 60V 8A TO263 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:8A（Ta），78A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:16.5 毫歐 @ 20A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:100nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:6400pF @ 30V 功率 - 最大值:2.1W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應商器件封裝:TO-263（D2Pak） 標準包裝:1 AOB411L 功能描述:MOSFET P-CH 60V 8A TO263 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:8A（Ta），78A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:16.5 毫歐 @ 20A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:100nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:6400pF @ 30V 功率 - 最大值:2.1W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應商器件封裝:TO-263（D2Pak） 標準包裝:800 AOB409L 功能描述:MOSFET P-CH 60V 5A TO263 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:5A（Ta），31.5A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:38 毫歐 @ 20A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:52nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2953pF @ 30V 功率 - 最大值:2.1W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應商器件封裝:TO-263（D2Pak） 標準包裝:800 AOB29S50L 功能描述:MOSFET N-CH 500V 29A TO263 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:aMOS?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:500V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:29A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:150 毫歐 @ 14.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3.9V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:26.6nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1312pF @ 100V 功率 - 最大值:357W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應商器件封裝:TO-263（D2Pak） 標準包裝:1 AOB298L 功能描述:MOSFET N-CH 100V 9A D2PAK 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:9A（Ta），58A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:14.5 毫歐 @ 20A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4.1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:27nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1670pF @ 50V 功率 - 最大值:2.1W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應商器件封裝:TO-263（D2Pak） 標準包裝:1 AOB470L AOB480L AOB482L AOB4S60L AOB5B60D AOB5B65M1 AOB7S60L AOB7S65L AOB9N70L AOB-IBRS232 AOC2401 AOC2403 AOC2411 AOC2412 AOC2413 AOC2414 AOC2415 AOC2417
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