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AOB7S60L?
深圳市晶美隆科技有限公司
深圳市晶美隆科技有限公司
聯(lián)系人：李林
電話(huà)：0755-8251939113714584659李先生（可開(kāi)13%增票，3
地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北電子科技大夏A座36樓C09
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
18260
AOS
TO-263
23+
-
全新原裝正品現(xiàn)貨特價(jià)

AOB7S60L
深圳市琦凌凱科技有限公司
深圳市琦凌凱科技有限公司
聯(lián)系人：彭先生
電話(huà)：1331648214918276240346
地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道荔村社區(qū)振興路120號(hào)賽格科技園4棟中10層10A19
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
6000
A
TO-263
22+
-
十年配單，只做原裝

AOB7S60L
深圳市深美諾電子科技有限公司
深圳市深美諾電子科技有限公司
聯(lián)系人：李燕兵
電話(huà)：82525918
地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路上步工業(yè)區(qū)101棟5樓517-532室
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
6000
AOS
TO-263
22+
-
全新原裝現(xiàn)貨供應(yīng)

AOB7S60L
深圳市百域芯科技有限公司
深圳市百域芯科技有限公司
聯(lián)系人：雷小姐
電話(huà)：0755-82788062
地址：華強(qiáng)北都會(huì)軒4507
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
30000
AOS/萬(wàn)代
TO-263
24+
-
原裝正品，可含稅供應(yīng)。品質(zhì)保障

AOB7S60L
無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司
無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司
聯(lián)系人：劉小姐
電話(huà)：15961889150
地址：江蘇省無(wú)錫市新區(qū)新梅路68號(hào)
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
1000
isc/固電半導(dǎo)體
D2PAK/TO-263
24+
-
國(guó)產(chǎn)品牌，替代進(jìn)口

AOB7S60L
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯(lián)系人：唐先生
電話(huà)：0755-8322569219129381337（微信同號(hào)）
地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。
865000
AOS美國(guó)萬(wàn)代
D2PAK
最新批號(hào)
-
代理此型號(hào)，原裝正品現(xiàn)貨！

AOB7S60L
北京力通科信電子有限公司
北京力通科信電子有限公司
聯(lián)系人：韓小姐
電話(huà)：13661385246
地址：北京市海淀區(qū)知春路118號(hào)知春大廈B座1504室，新中發(fā)電子市場(chǎng)B1303-b1305柜臺(tái)
800
AOS
TO-263
11+
-
100%公司原裝現(xiàn)貨只做原裝 1366...

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功能描述
MOSFET N-CH 600V D2PAK
RoHS
是
類(lèi)別
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單
系列
-
標(biāo)準(zhǔn)包裝
1,000
系列
MESH OVERLAY™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點(diǎn)
邏輯電平門(mén)
漏極至源極電壓(Vdss)
200V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
18A
開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
180 毫歐 @ 9A，10V
Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
72nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
1560pF @ 25V
功率 - 最大
40W
安裝類(lèi)型
通孔
封裝/外殼
TO-220-3 整包
供應(yīng)商設(shè)備封裝
TO-220FP
包裝
管件

AOB7S60L 技術(shù)參數(shù)

AOB5B65M1 功能描述:IGBT 650V 5A TO263 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:Alpha IGBT?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 IGBT 類(lèi)型:- 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:650V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:10A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):15A 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:1.98V @ 15V，5A 功率 - 最大值:83W 開(kāi)關(guān)能量:80μJ（開(kāi)），70μJ（關(guān)）輸入類(lèi)型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:14nC 25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值:8.5ns/106ns 測(cè)試條件:400V，5A，60 歐姆，15V 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:195ns 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線(xiàn)+接片），TO-263AB 安裝類(lèi)型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:TO-263（D2Pak）標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 AOB5B60D 功能描述:IGBT 600V 23A 82.4W Surface Mount TO-263 (D2Pak) 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:Alpha IGBT?? 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效 IGBT 類(lèi)型:- 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:23A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):20A 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:1.8V @ 15V， 5A 功率 - 最大值:82.4W 開(kāi)關(guān)能量:140μJ（開(kāi)），40μJ（關(guān)）輸入類(lèi)型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:9.4nC 25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值:12ns/83ns 測(cè)試條件:400V，5A，60 歐姆，15V 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:98ns 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線(xiàn)+接片），TO-263AB 安裝類(lèi)型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:TO-263（D2Pak）標(biāo)準(zhǔn)包裝:800 AOB4S60L 功能描述:MOSFET N-CH 600V 4A D2PAK 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:aMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:4A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:900 毫歐 @ 2A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4.1V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:6nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:263pF @ 100V 功率 - 最大值:83W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類(lèi)型:表面貼裝封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線(xiàn)+接片），TO-263AB 供應(yīng)商器件封裝:TO-263（D2Pak）標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 AOB482L 功能描述:MOSFET N-CH 80V D2PAK 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:SDMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:80V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:11A（Ta），105A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:6.9 毫歐 @ 20A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:3.7V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:81nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:4870pF @ 40V 功率 - 最大值:2.1W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類(lèi)型:表面貼裝封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線(xiàn)+接片），TO-263AB 供應(yīng)商器件封裝:TO-263（D2Pak）標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 AOB480L 功能描述:MOSFET N-CH 80V D2PAK 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:SDMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:80V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:15A（Ta），180A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:4.2 毫歐 @ 20A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:140nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:7820pF @ 40V 功率 - 最大值:1.9W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類(lèi)型:表面貼裝封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線(xiàn)+接片），TO-263AB 供應(yīng)商器件封裝:TO-263（D2Pak）標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 AOC2415 AOC2417 AOC2421 AOC2422 AOC2423 AOC2800 AOC2802 AOC2802_001 AOC2804 AOC2804B AOC2806 AOC2870 AOC3860 AOC3862 AOC3864 AOC3868 AOC4810 AOCJY-10.000MHZ