參數(shù)資料
型號(hào)： 934050240115
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類(lèi)： 功率晶體管
英文描述： 5 A, 10 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： PLASTIC, SMD, SC-73, 4 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 3/8頁(yè)
文件大小： 48K
代理商： 934050240115
1999 Apr 29
3
Philips Semiconductors
Product specication
PNP BISS-transistor
BDL32
THERMAL CHARACTERISTICS
Note
1. Device mounted on a printed-circuit board, single-sided copper, tinplated, mounting pad for collector 1 cm2.
For other mounting conditions, see
“Thermal considerations for SOT223 in the General Part of associated
Handbook”.
CHARACTERISTICS
Tamb =25 °C unless otherwise specied.
Note
1. Pulse test: tp ≤ 300 s; δ≤ 0.02.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
VALUE
UNIT
Rth j-a
thermal resistance from junction to ambient
note 1
92
K/W
Rth j-s
thermal resistance from junction to soldering point
10
K/W
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
MAX.
UNIT
ICBO
collector cut-off current
IE = 0; VCB = 10 V
50
nA
IE = 0; VCB = 10 V; Tj = 150 °C
50
A
IEBO
emitter cut-off current
IC = 0; VEB = 5V
50
nA
hFE
DC current gain
VCE = 2 V; note 1
IC = 0.5 A
200
IC = 1 A
180
IC = 3 A
120
IC = 5A
50
VCE = 1 V; IC = 2 A; note 1
120
VCEsat
collector-emitter saturation voltage note 1
IC = 1 A; IB = 20 mA
250
mV
IC = 2 A; IB = 200 mA
400
mV
IC = 3 A; IB = 60 mA
600
mV
IC = 5 A; IB = 100 mA
1V
Cc
collector capacitance
IE =ie = 0; VCB = 5 V; f = 1 MHz
150
pF
fT
transition frequency
IC = 500 mA; VCE = 10 V;
f = 100 MHz
100
MHz
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PDF描述
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參數(shù)描述
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