參數(shù)資料
型號： 934000180115
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： UHF BAND, Si, PNP, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： PLASTIC, SC-73, 4 PIN
文件頁數(shù)： 2/7頁
文件大小： 49K
代理商： 934000180115
1995 Sep 12
2
Philips Semiconductors
Product specication
PNP 5 GHz wideband transistor
BFG31
FEATURES
High output voltage capability
High gain bandwidth product
Good thermal stability
Gold metallization ensures
excellent reliability.
DESCRIPTION
PNP planar epitaxial transistor
mounted in a plastic SOT223
envelope.
It is intended for wideband amplifier
applications.
NPN complement is the BFG97.
PINNING
PIN
DESCRIPTION
1
emitter
2
base
3
emitter
4
collector
Fig.1 SOT223.
page
4
123
MSB002 - 1
Top view
QUICK REFERENCE DATA
LIMITING VALUES
In accordance with the Absolute Maximum System (IEC 134).
Note
1. Ts is the temperature at the soldering point of the collector tab.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
VCEO
collector-emitter voltage
open base
15
V
IC
DC collector current
100
mA
Ptot
total power dissipation
up to Ts = 135 °C ; note 1
1W
hFE
DC current gain
IC = 70 mA; VCE = 10 V;
Tamb =25 °C
25
fT
transition frequency
IC = 70 mA; VCE = 10 V;
f = 500 MHz; Tamb = 25 °C
5.0
GHz
GUM
maximum unilateral power
gain
IC = 70 mA; VCE = 10 V;
f = 800 MHz; Tamb =25 °C
12
dB
Vo
output voltage
IC = 100 mA; VCE = 10 V;
RL =75 ; Tamb = 25 °C
600
mV
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
MAX.
UNIT
VCBO
collector-base voltage
open emitter
20
V
VCEO
collector-emitter voltage
open base
15
V
VEBO
emitter-base voltage
open collector
3V
IC
DC collector current
100
mA
Ptot
total power dissipation
up to Ts = 135 °C; note 1
1W
Tstg
storage temperature
65
150
°C
Tj
junction temperature
175
°C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
934000490135 225 mA, 200 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
934000490115 225 mA, 200 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
0579196802 1.25 mm2, BRASS, TIN FINISH, WIRE TERMINAL
934000510115 225 mA, 250 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
934000520115 10 ohm, Si, POWER, FET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
9340002-301 功能描述:熱電模塊 MS2,107,10,10,12,12, 11,W2 22.6x22.6x6.25 RoHS:否 制造商:Laird Technologies / Thermal Solutions 類型:Ceramic Plate Q最大:24 W ΔT最大:+ 63 C 最大電流:2.8 A 最大電壓:14.4 V 長度:30 mm 寬度:30 mm 高度:3.2 mm
9340002-302 制造商:Laird Technologies Inc 功能描述:MS2,107,10,10,12,12,11,RT,W8
9340002-304 制造商:LAIRD TECHNOLOGIES - ENGINEERED THERMAL SOLUTIONS 功能描述:PELTIR MS2,107,10,10,12,12,00,W8 制造商:Laird Technologies Inc 功能描述:PELTIR MS2,107,10,10,12,12,00,W8
9340003-301 功能描述:熱電模塊 MS2 190 10 10 12 12 11 W2 30x30x6.5mm RoHS:否 制造商:Laird Technologies / Thermal Solutions 類型:Ceramic Plate Q最大:24 W ΔT最大:+ 63 C 最大電流:2.8 A 最大電壓:14.4 V 長度:30 mm 寬度:30 mm 高度:3.2 mm
9340003-302 功能描述:MS2,190,10,10,12,12,11,RT,W8 制造商:laird technologies - engineered thermal solutions 系列:多級 零件狀態(tài):有效 外形尺寸 L x W x H:30.00mm x 30.00mm x 6.50mm 不同 Th 時的 Qmax:16.4W @ 25°C 不同 Th 時的 Delta Tmax:87°C @ 25°C 電流 - 最大值:2.9A 電壓 - 最大值:15.6V 電阻（歐姆）:- 工作溫度:80°C 特性:密封 - 硅樹脂 RTV 標準包裝:1
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