參數(shù)資料
型號(hào)： 83765
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： Transmissive Optical Sensor with Phototransistor Output
中文描述： 透射光傳感器輸出的光電晶體管
文件頁(yè)數(shù)： 2/7頁(yè)
文件大?。?/td> 122K
代理商： 83765
TCST1230
Vishay
Semiconductors
www.vishay.com
2 (7)
Rev. A4, 08–Jun–99
Document Number 83765
Absolute Maximum Ratings
Input (Emitter)
Parameter
Reverse voltage
Forward current
Forward surge current
Power dissipation
Junction temperature
Test Conditions
Symbol
V
R
I
F
I
FSM
P
V
T
j
Value
6
60
3
100
100
Unit
V
mA
A
mW
C
t
p
≤
10 A
T
amb
≤
25 C
Output (Detector)
Parameter
Test Conditions
Symbol
V
CEO
V
ECO
I
C
P
V
T
j
Value
70
7
100
150
100
Unit
V
V
mA
mW
C
Collector emitter voltage
Emitter collector voltage
Collector current
Power dissipation
Junction temperature
T
amb
≤
25 C
Coupler
Parameter
Test Conditions
Symbol
P
tot
T
amb
T
stg
T
sd
Value
250
–25 to +85
–40 to +100
260
Unit
mW
C
C
C
Total power dissipation
Operation temperature range
Storage temperature range
Soldering temperature
T
amb
≤
25 C
1.6 mm from case, t
≤
5 s
Electrical Characteristics
(T
amb
= 25
°
C)
Input (Emitter)
Parameter
Forward voltage
Junction capacitance
Test Conditions
I
F
= 60 mA
V
R
= 0, f = 1 MHz
Symbol
V
F
C
j
Min.
Typ.
1.25
50
Max.
1.5
Unit
V
pF
Output (Detector)
Parameter
Collector emittter voltage
Emitter collector voltage
Collector dark current
Test Conditions
I
C
= 1 mA
I
E
= 10 A
V
CE
= 25 V, I
F
= 0, E = 0
Symbol
V
CEO
V
ECO
I
CEO
Min.
70
7
Typ.
Max.
Unit
V
V
nA
10
100
Coupler
Parameter
Test Conditions
V
CE
= 10 V, I
F
= 20 mA
I
F
= 20 mA, I
C
= 0.2 mA
Symbol
I
C
V
CEsat
Min.
0.5
Typ.
Max.
14
0.4
Unit
mA
V
Collector current
Collector emitter
saturation voltage
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PDF描述
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