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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 7MBP150RA-120 |
| 英文描述： | 7 IPM IGBT |
| 中文描述： | 7 IGBT的綜合防治 |
| 文件頁數(shù)： | 3/7頁 |
| 文件大小： | 462K |
| 代理商： | 7MBP150RA-120 |
7MBP 100RA-120
IGBT IPM
1200V
6x100A+Chopper
I
Dynamic Brake
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
2,5
3,0
0
20
40
60
80
100
V
CC
=17V,15V, 13V
Collector Current vs. Collector-Emitter Voltage
T
j
=25°C
C
C
Collector-Emitter Voltage : V
CE
[V]
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
2,5
3,0
0
20
40
60
80
100
V
CC
=17V,15V, 13V
Collector Current vs. Collector-Emitter Voltage
T
j
=125°C
C
C
Collector-Emitter Voltage : V
CE
[V]
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
-2
10
-1
10
0
IGBT
Transient Thermal Resistance
T
t
Pulse Width : P
W
[sec]
0
200
400
600
800
1000
1200
1400
0
100
200
300
400
500
600
700
RBSOA
(repetitive pulse)
SCSOA
(non-repetitive pulse)
Reverse Biased Safe Operating Area
V
CC
=15V, T
j
<125°C
C
C
Collector-Emitter Voltage : V
CE
[V]
0
20
40
60
80
100
120
140
160
0
100
200
300
400
500
Power Derating For IGBT
(per device)
C
C
Case Temperature : T
C
[°C]
0
20
40
60
80
100
120
140
0
50
100
150
200
Over Current Protection vs. Junction Temperature
V
cc
=15 V
O
o
Junction Temperature: T
j
[°C]
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 7MBP150RTB-060 | 8 PIN, 1.75KB, FLASH, 64B RAM, COMPARATOR, 8 MHZ INTERNAL OSCILLATOR, -40C to +85C, 8-SOIC 150mil, TUBE |
| 7MBP150RTJ-060 | 8 PIN, 1.75KB, FLASH, 64B RAM, COMPARATOR, 8MHZ INTERNAL OSCILLATOR, -40C to +85C, 8-DFN, T/R |
| 7MBP150TEA-060 | IGBTs |
| 7MBP150RA060 | TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | COMPLEX BRIDGE | 600V V(BR)CES | 150A I(C) |
| 6MBP100RA-060 | IGBTs |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 7MBP150RTB060 | 制造商:FUJI 制造商全稱:Fuji Electric 功能描述:IPM-R3 |
| 7MBP150RTB-060 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:7 IPM IGBT |
| 7MBP150RTJ-060 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:IGBTs |
| 7MBP150TEA060 | 制造商:FUJI 制造商全稱:Fuji Electric 功能描述:Econo IPM series |
| 7MBP150TEA-060 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:IGBTs |
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