參數(shù)資料
型號(hào): 75GD120DN2
英文描述: IGBT Module
中文描述: IGBT模塊
文件頁(yè)數(shù): 8/9頁(yè)
文件大小: 312K
代理商: 75GD120DN2
8
Oct-01-2003
BSM 75 GD 120 DN2
Forward characteristics of fast recovery
reverse diode
I
F
= f(V
F
)
parameter:
T
j
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
V
3.0
V
F
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
110
120
130
A
150
I
F
T
j
=25°C
=125°C
j
T
Transient thermal impedance Diode
Z
th JC
=
(
t
p
)
parameter:
D = t
p
/
T
-4
10
-5
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
K/W
Z
thJC
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
s
t
p
single pulse
0.01
0.02
0.05
0.10
0.20
D = 0.50
相關(guān)PDF資料
PDF描述
75GD170DL IGBT Module
75LQ150 HIGH PSRR 150 MA LDO, VIN 10V MAX, VOUT = 6.0V, -40C to +85C, 5-SOT-23, T/R
75PL07H3 PLOTTERSTIFT ADAPTER
757PL2CF PLOTTERSTIFT AUFFUELLBAR SPITZE FLACH0.2
757PL2CS 1A Low Voltage Low lq LDO, -40C to +125C, 8-DFN, T/R
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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