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參數資料
| 型號： | 74HCT3G34 |
| 廠商： | NXP Semiconductors N.V. |
| 英文描述： | Triple Buffer Gate |
| 中文描述： | 3個緩沖門 |
| 文件頁數： | 5/17頁 |
| 文件大小： | 82K |
| 代理商： | 74HCT3G34 |
2003 Oct 30
5
Philips Semiconductors
Product specification
Inverter
74HC3G04; 74HCT3G04
RECOMMENDED OPERATING CONDITIONS
LIMITING VALUES
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 60134); voltages are referenced to GND (ground = 0 V).
Notes
1.
2.
The input and output voltage ratings may be exceeded if the input and output current ratings are observed.
Above 110
°
C the value of P
D
derates linearly with 8 mW/K.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
74HC3G04
74HCT3G04
UNIT
MIN.
TYP.
MAX.
MIN.
TYP.
MAX.
V
CC
V
I
V
O
T
amb
supply voltage
input voltage
output voltage
operating ambient
temperature
2.0
0
0
40
5.0
+25
6.0
V
CC
V
CC
+125
4.5
0
0
40
5.0
+25
5.5
V
CC
V
CC
+125
V
V
V
°
C
see DC and AC
characteristics per
device
V
CC
= 2.0 V
V
CC
= 4.5 V
V
CC
= 6.0 V
t
r
, t
f
input rise and fall times
6.0
1000
500
400
6.0
500
ns
ns
ns
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
0.5
65
MAX.
UNIT
V
CC
I
IK
I
OK
I
O
I
CC
T
stg
P
D
supply voltage
input diode current
output diode current
output source or sink current
V
CC
or GND current
storage temperature
power dissipation
+7.0
±
20
±
20
25
50
+150
300
V
mA
mA
mA
mA
°
C
mW
V
I
<
0.5 Vor V
I
> V
CC
+ 0.5 V; note 1
V
O
<
0.5 Vor V
O
> V
CC
+ 0.5 V; note 1
0.5 V < V
O
< V
CC
+ 0.5 V; note 1
note 1
T
amb
=
40 to +125
°
C; note 2
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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