參數(shù)資料
型號： 74ACTQ10PCQR
英文描述： Triple 3-input NAND Gate
中文描述： 三3輸入與非門
文件頁數(shù)： 3/8頁
文件大小： 58K
代理商： 74ACTQ10PCQR
74ACT10
3/8
DC SPECIFICATIONS
1) Maximum test duration 2ms, one output loaded at time
2) Incident wave switching is guaranteed on trasmission lines with impedances as low as 50
AC ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(C
L
= 50 pF, R
L
= 500
, Input t
r
= t
f
= 3ns)
(*) Voltage range is 5.0V
±
0.5V
CAPACITIVE CHARACTERISTICS
1) C
PD
is defined as the value of the IC’s internal equivalent capacitance which is calculated from the operating current consumption without
load. (Refer to Test Circuit). Average operating current can be obtained by the following equation. I
CC(opr)
=C
PD
x V
CC
x f
IN
+I
CC
/3 (per gate)
Symbol
Parameter
Test Condition
Value
Unit
V
CC
(V)
T
A
= 25
°
C
-40 to 85
°
C
-55 to 125
°
C
Min.
Typ.
Max.
Min.
Max.
Min.
Max.
V
IH
High Level Input
Voltage
4.5
5.5
4.5
5.5
4.5
5.5
4.5
5.5
4.5
V
O
= 0.1 V or
V
CC
-0.1V
V
O
= 0.1 V or
V
CC
-0.1V
I
O
=-50
μ
A
I
O
=-50
μ
A
I
O
=-24 mA
I
O
=-24 mA
I
O
=50
μ
A
I
O
=50
μ
A
I
O
=24 mA
I
O
=24 mA
2.0
2.0
1.5
1.5
1.5
1.5
4.49
5.49
2.0
2.0
2.0
2.0
V
V
IL
Low Level Input
Voltage
0.8
0.8
0.8
0.8
0.8
0.8
V
V
OH
High Level Output
Voltage
4.4
5.4
3.86
4.86
4.4
5.4
3.76
4.76
4.4
5.4
3.7
4.7
V
V
OL
Low Level Output
Voltage
0.001
0.1
0.1
0.1
5.5
4.5
5.5
0.001
0.1
0.36
0.36
0.1
0.44
0.44
0.1
0.5
0.5
I
I
Input Leakage Cur-
rent
Max I
CC
/Input
Quiescent Supply
Current
5.5
V
I
= V
CC
or GND
±
0.1
±
1
±
1
μ
A
I
CCT
I
CC
5.5
V
I
= V
CC
- 2.1V
0.6
1.5
1.6
mA
5.5
V
I
= V
CC
or GND
4
40
80
μ
A
I
OLD
I
OHD
Dynamic Output
Current (note 1, 2)
5.5
V
OLD
= 1.65 V max
V
OHD
= 3.85 V min
75
-75
50
-50
mA
mA
Symbol
Parameter
Test Condition
Value
Unit
V
CC
(V)
T
A
= 25
°
C
-40 to 85
°
C
-55 to 125
°
C
Min.
Typ.
Max.
Min.
Max.
Min.
Max.
t
PLH
t
PHL
Propagation Delay
Time
5.0
(*)
1.5
4.5
9.0
1.0
10.0
1.0
10.0
ns
Symbol
Parameter
Test Condition
Value
Unit
V
CC
(V)
T
A
= 25
°
C
-40 to 85
°
C
-55 to 125
°
C
Min.
Typ.
Max.
Min.
Max.
Min.
Max.
C
IN
C
PD
Input Capacitance
5.0
4.0
pF
Power Dissipation
Capacitance (note
1)
5.0
f
IN
= 10MHz
37.0
pF
相關PDF資料
PDF描述
74ACTQ10SCQR Triple 3-input NAND Gate
74ACTQ14PCQR CERAMIC CHIP/MIL-PRF-55681
74ACTQ14SCQR CERAMIC CHIP/MIL-PRF-55681
74ACTQ153PCQR 4-Input Digital Multiplexer
74ACTQ153SCQR 4-Input Digital Multiplexer
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參數(shù)描述
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74ACTQ10SC_Q 功能描述:邏輯門 Trp 3-Inp NAND Gate RoHS:否 制造商:Texas Instruments 產品:OR 邏輯系列:LVC 柵極數(shù)量:2 線路數(shù)量（輸入/輸出）:2 / 1 高電平輸出電流:- 16 mA 低電平輸出電流:16 mA 傳播延遲時間:3.8 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:1.65 V 最大工作溫度:+ 125 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DCU-8 封裝:Reel
74ACTQ10SCX 功能描述:邏輯門 Trp 3-Inp NAND Gate RoHS:否 制造商:Texas Instruments 產品:OR 邏輯系列:LVC 柵極數(shù)量:2 線路數(shù)量（輸入/輸出）:2 / 1 高電平輸出電流:- 16 mA 低電平輸出電流:16 mA 傳播延遲時間:3.8 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:1.65 V 最大工作溫度:+ 125 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DCU-8 封裝:Reel
74ACTQ14MTC 功能描述:變換器 Hex Inverter RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 電路數(shù)量:6 邏輯系列:74ABT 邏輯類型:BiCMOS 高電平輸出電流:- 15 mA 低電平輸出電流:20 mA 傳播延遲時間:2.2 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 工作溫度范圍: 封裝 / 箱體:DIP-14 封裝:Tube
74ACTQ14MTC_Q 功能描述:變換器 Hex Inverter RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 電路數(shù)量:6 邏輯系列:74ABT 邏輯類型:BiCMOS 高電平輸出電流:- 15 mA 低電平輸出電流:20 mA 傳播延遲時間:2.2 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 工作溫度范圍: 封裝 / 箱體:DIP-14 封裝:Tube
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