參數(shù)資料
型號(hào)： 74ACTQ04MTCX
元件分類： 電容
英文描述： CERAMIC CHIP/MIL-PRF-55681
中文描述： 陶瓷芯片/mil-prf-55681
文件頁數(shù)： 3/8頁
文件大?。?/td> 58K
代理商： 74ACTQ04MTCX
74ACT10
3/8
DC SPECIFICATIONS
1) Maximum test duration 2ms, one output loaded at time
2) Incident wave switching is guaranteed on trasmission lines with impedances as low as 50
AC ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(C
L
= 50 pF, R
L
= 500
, Input t
r
= t
f
= 3ns)
(*) Voltage range is 5.0V
±
0.5V
CAPACITIVE CHARACTERISTICS
1) C
PD
is defined as the value of the IC’s internal equivalent capacitance which is calculated from the operating current consumption without
load. (Refer to Test Circuit). Average operating current can be obtained by the following equation. I
CC(opr)
=C
PD
x V
CC
x f
IN
+I
CC
/3 (per gate)
Symbol
Parameter
Test Condition
Value
Unit
V
CC
(V)
T
A
= 25
°
C
-40 to 85
°
C
-55 to 125
°
C
Min.
Typ.
Max.
Min.
Max.
Min.
Max.
V
IH
High Level Input
Voltage
4.5
5.5
4.5
5.5
4.5
5.5
4.5
5.5
4.5
V
O
= 0.1 V or
V
CC
-0.1V
V
O
= 0.1 V or
V
CC
-0.1V
I
O
=-50
μ
A
I
O
=-50
μ
A
I
O
=-24 mA
I
O
=-24 mA
I
O
=50
μ
A
I
O
=50
μ
A
I
O
=24 mA
I
O
=24 mA
2.0
2.0
1.5
1.5
1.5
1.5
4.49
5.49
2.0
2.0
2.0
2.0
V
V
IL
Low Level Input
Voltage
0.8
0.8
0.8
0.8
0.8
0.8
V
V
OH
High Level Output
Voltage
4.4
5.4
3.86
4.86
4.4
5.4
3.76
4.76
4.4
5.4
3.7
4.7
V
V
OL
Low Level Output
Voltage
0.001
0.1
0.1
0.1
5.5
4.5
5.5
0.001
0.1
0.36
0.36
0.1
0.44
0.44
0.1
0.5
0.5
I
I
Input Leakage Cur-
rent
Max I
CC
/Input
Quiescent Supply
Current
5.5
V
I
= V
CC
or GND
±
0.1
±
1
±
1
μ
A
I
CCT
I
CC
5.5
V
I
= V
CC
- 2.1V
0.6
1.5
1.6
mA
5.5
V
I
= V
CC
or GND
4
40
80
μ
A
I
OLD
I
OHD
Dynamic Output
Current (note 1, 2)
5.5
V
OLD
= 1.65 V max
V
OHD
= 3.85 V min
75
-75
50
-50
mA
mA
Symbol
Parameter
Test Condition
Value
Unit
V
CC
(V)
T
A
= 25
°
C
-40 to 85
°
C
-55 to 125
°
C
Min.
Typ.
Max.
Min.
Max.
Min.
Max.
t
PLH
t
PHL
Propagation Delay
Time
5.0
(*)
1.5
4.5
9.0
1.0
10.0
1.0
10.0
ns
Symbol
Parameter
Test Condition
Value
Unit
V
CC
(V)
T
A
= 25
°
C
-40 to 85
°
C
-55 to 125
°
C
Min.
Typ.
Max.
Min.
Max.
Min.
Max.
C
IN
C
PD
Input Capacitance
5.0
4.0
pF
Power Dissipation
Capacitance (note
1)
5.0
f
IN
= 10MHz
37.0
pF
相關(guān)PDF資料
PDF描述
74ACTQ04PCQR CERAMIC CHIP/MIL-PRF-55681
74ACTQ04SCQR CERAMIC CHIP/MIL-PRF-55681
74ACTQ04SCX CERAMIC CHIP/MIL-PRF-55681
74ACTQ04SJX CERAMIC CHIP/MIL-PRF-55681
74ACTQ08PCQR Quad 2-input AND Gate
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
74ACTQ04PC 功能描述:變換器 Hex Inverter RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 電路數(shù)量:6 邏輯系列:74ABT 邏輯類型:BiCMOS 高電平輸出電流:- 15 mA 低電平輸出電流:20 mA 傳播延遲時(shí)間:2.2 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 工作溫度范圍: 封裝 / 箱體:DIP-14 封裝:Tube
74ACTQ04PC_Q 功能描述:變換器 Hex Inverter RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 電路數(shù)量:6 邏輯系列:74ABT 邏輯類型:BiCMOS 高電平輸出電流:- 15 mA 低電平輸出電流:20 mA 傳播延遲時(shí)間:2.2 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 工作溫度范圍: 封裝 / 箱體:DIP-14 封裝:Tube
74ACTQ04SC 功能描述:變換器 Hex Inverter RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 電路數(shù)量:6 邏輯系列:74ABT 邏輯類型:BiCMOS 高電平輸出電流:- 15 mA 低電平輸出電流:20 mA 傳播延遲時(shí)間:2.2 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 工作溫度范圍: 封裝 / 箱體:DIP-14 封裝:Tube
74ACTQ04SCX 功能描述:變換器 Hex Inverter RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 電路數(shù)量:6 邏輯系列:74ABT 邏輯類型:BiCMOS 高電平輸出電流:- 15 mA 低電平輸出電流:20 mA 傳播延遲時(shí)間:2.2 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 工作溫度范圍: 封裝 / 箱體:DIP-14 封裝:Tube
74ACTQ04SJ 功能描述:變換器 Hex Inverter RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 電路數(shù)量:6 邏輯系列:74ABT 邏輯類型:BiCMOS 高電平輸出電流:- 15 mA 低電平輸出電流:20 mA 傳播延遲時(shí)間:2.2 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 工作溫度范圍: 封裝 / 箱體:DIP-14 封裝:Tube
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